晶新聞-跳脫主流，中大萌芽團隊發表低溫Micro LED磊晶技術

跳脫主流，中大萌芽團隊發表低溫Micro LED磊晶技術

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(由中央大學光電系陳昇暉教授（中）、詹世豪博士(左)和曾少澤博士(右)所帶領的萌芽新創團隊發表創新的Micro LED磊晶技術，透過高能物理的方式，在「低溫」狀態下即可長出高品質的氮化鎵薄膜。國立中央大學提供)

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晶新聞編輯室綜合報導

2019-0712

國立中央大學發布訊息，由中央大學光電系陳昇暉教授所帶領的萌芽新創團隊 Microluce 近期發表創新的Micro LED磊晶技術，透過高能物理的方式，在「低溫」狀態下即可長出高品質的氮化鎵薄膜，完全拋棄主流的巨量轉移製程。

其成本僅為現有微發光二極體顯示器的十分之一，具有「量產」潛力，相關技術已獲得了台灣及美國專利。

「巨量轉移」為現今Micro LED顯示器最重要的步驟，已發展將近十年，但該團隊認為，巨量轉移是錯誤的方向，主要因現今的LED晶粒須進行覆晶製程及結構弱化等程序，藍綠光材料為氮化鎵，紅光材料為砷化鎵，兩種材料的驅動電壓不同，在驅動電路上將造成困難，尤其在成本考量上，壞點修復問題不易克服，因此難以達量產階段。

該團隊透過高能物理的方式，突破以往一千度以上的高溫限制，在「低溫」狀態下即可長出高品質的氮化鎵薄膜，溫度可控制在500至700度左右；面版尺寸可從2英吋至12英吋，可隨著製程設備等比例放大，並結合了大數據分析，找出最佳的磊晶模式。

從成本結構來看，現今巨量轉移2K畫素的MicroLED面板成本高於33萬台幣（1萬多美金），該團隊自主開發的磊晶板，搭配奈米材料技術可達到全彩化的微發光二極體顯示效果，一片面板的成本僅為現有的十分之一，深具量產潛力，可望造福更多消費者。這項創新技術，未來可望將「照明」與「顯示」的藩籬打破，將兩者合而為一。

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