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電子學 證照專業知識測驗
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CubicPower晶智能中心 專業證照基本知識測驗
關鍵字分類 科目: 電子學
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電路
1.( ) 共基極放大電路 這種電路不具備電流放大的功能
2.( ) 截波器 這種電路可僅以二極體與電阻器組成
3.( ) 一般頻率計數器將待測信號輸入後，可由 樞密特觸發電路 這種電路轉換為脈波後，來控制計數器的計數
4.( ) 正反器可由 雙穩態多諧振盪器 這種電路來組成
5.( ) 在BJT電路中， 穿透崩潰（Punch-through Breakdown）現象發生 是由爾利效應（Early Effect）所產生
6.( ) 在音響擴大機應用電路中，常用來驅動負載喇叭的電晶體組態電路為 共集極
7.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路，R＝50Ω，L＝50mH，C＝80μF。欲使電路出現最大電流振幅，則電源角頻率ω值為 500rad/s
8.( ) 有一電源電路之輸出電壓V（t）＝10＋0.2sin（ωt）伏特，則其漣波因數百分比約為 1.41%
9.( ) 兩級串接放大電路，其電流增益分別為A_i1＝100，A_i2＝150，若負載阻抗為1kΩ，第一級輸入阻抗為150kΩ，求電路總電壓增益的db值為 40db
10.( ) 某耦合電路中有兩個相互靠近之電感，其中一側之自感量L_1＝28mH，另一次側之自感量L_2＝7mH，兩電感間之互感量M＝7mH。則電路之耦合係數k為 0.5
圖所
放大器
1.( ) A類 這種放大器，較不易失真
2.( ) BJT放大器中， 共集極放大器 輸出阻抗最低
3.( ) 一個放大器其增益為40∠－35°，若要使此電路振盪，其回授增益為 0.025∠35°
4.( ) 在共源（CS）、共閘（CG）、共汲（CD）及疊接（Cascode）放大器中，通常以 Cascode 的增益頻寬積（Gain-Bandwidth Product）最大
5.( ) 有一放大器應用電路，設放大器U1為理想放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為＋10V與－10V，亦即輸出電壓侷限在－10V到＋10V之間。設電阻R1、R2均相等，今輸入電壓VI為振幅VP＝1V之正弦波，試研判輸出電壓VO之反應 VO將落入一定值不再變動
6.( ) 有一麥克風，於300Ω之輸出阻抗下，將0.3V之音頻訊號輸入至放大器，而放大器又將30W之電功率輸入至16Ω之揚聲器上，則此放大器之分貝功率增益為 50dB
7.( ) 有關共基極（CB）放大器之敘述， 電流增益小於1 正確
8.( ) 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
9.( ) 某一電路對於不同頻率的信號，其延遲時間不同，則此放大器有 相位失真 這種失真
10.( ) 晶體共射極放大器若加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則敘述 電壓增益降低 正確
電壓
1.( ) 電容 這種元件的儲存能量與電壓平方成正比
2.( ) 一個200微法拉電容器已充電至100V，且電容器開關切開之瞬間電壓V（0^－）＝100V，請問電容器儲存能量與V（0^＋）為 1J、100V
3.( ) 下列有關PN接面二極體的敘述 矽二極體的障壁電壓（barrier potential）較鍺二極體高二極體加順向偏壓後，空乏區變窄溫度上升時，漏電流上升 有誤
4.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路，其輸出的直流平均電壓V_DC＝3.7V，則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
5.( ) 在BJT電晶體中，有關Early效應（Early effect）的敘述， 在固定基極射極間輸入電壓時，提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減 正確
6.( ) 在絕對零度（0°K）時，於本質半導體之兩端加一電壓，若本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內狀態為 沒有電子流也沒有電洞流
7.( ) 有一弦波電壓V（t）＝300cos（120πt＋30?）V，當t＝2.778ms時，電壓值為 0V
8.( ) 有一電容器C＝0.5F，其電流i（t）＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為 16J
9.( ) 有一穩壓器IC的型號為LM7812，請問其額定輸出電壓為 12V
10.( ) 有關pn接面（junction）二極體之敘述，下列 順向偏壓時，只要增加一些電壓，電流就會增加甚多逆向偏壓時，電流幾乎為零在相同電流下，當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
電流
1.( ) 安培A 為電流的實用單位
2.( ) 1mA電流流經1KΩ電阻時，所消耗的功率為 1mW
3.( ) 一個1.5V乾電池接上小燈泡後有0.1A流過，若兩個 1.5V乾電池並聯後接上小燈泡，則小燈泡電流為 0.1A
4.( ) 一燈泡兩端加1V的直流電壓，若流過燈泡的電流為1安培，則燈泡一分鐘消耗熱能為 60焦耳
5.( ) 在共射極組態下，若電晶體的β＝50、I_B＝20uA、I_CBO＝5uA，在考慮漏電流的情況下，求I_C電流為 1255uA
6.( ) 有一RLC串聯電路，R＝560Ω，L＝100mH，C＝0.1μF，其電流之自然響應特性為 欠阻尼
7.( ) 有一直流電源之電動勢為30V，內阻為2Ω，滿載時所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為 20%
8.( ) 有一電容器C＝0.5F，其電流i（t）＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為 16J
9.( ) 有關pn接面（junction）二極體之敘述，下列 順向偏壓時，只要增加一些電壓，電流就會增加甚多逆向偏壓時，電流幾乎為零在相同電流下，當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
10.( ) 某負載兩端之電壓為V（t）＝60sin（t＋30?）＋80sin（3t＋60?）V，流經之電流i（T）＝3sin（t－30?）＋4sin（3t＋30?）A。則負載吸收之實功率為 183.6W
二極體
1.( ) 透納二極體（Tunnel Diode） 這種二極體其V-I特性曲線中具有「負電阻區」特性
2.( ) 發光二極體 這種二極體，其正常使用非在逆向偏壓的情形下
3.( ) 蕭特基二極體 這種二極體較適合高頻整流用
4.( ) 一理想矽質PN介面的二極體，在T＝300K時（V_T＝26mV），其逆向偏壓的飽和電流為I_S＝2×10^－^14A且n＝1，請問在順向偏壓＋0.65V時的電流值為 1.44mA
5.( ) 二極體接逆向偏壓時，其逆向飽和電流I_s之敘述， 與溫度成正比 正確
6.( ) 有關pn接面（junction）二極體之敘述，下列 順向偏壓時，只要增加一些電壓，電流就會增加甚多逆向偏壓時，電流幾乎為零在相同電流下，當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
7.( ) 有關敘述， 蕭基（Schottky）二極體的工作速度較一般二極體快捷 正確
8.( ) 某矽質二極體在溫度20℃時逆向飽和電流為5nA，當溫度為30℃時，此二極體逆向飽和電流為 10nA
9.( ) 若一齊納二極體（Zener Diode）在25°C時崩潰電壓為15V，溫度係數為0.02%/°C，若溫度上升至60°C，求崩潰電壓為 15.105V
10.( ) 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為 將二極體與負載並聯
請問
1.( ) 一個200微法拉電容器已充電至100V，且電容器開關切開之瞬間電壓V（0^－）＝100V，請問電容器儲存能量與V（0^＋）為 1J、100V
2.( ) 已知f（t）的拉普拉斯轉換為F（S）＝ ，請問f（t）為 ＋sint
3.( ) 有一10安培之電流，流經100匝之圓線圈，其半徑為50公分，且線圈之厚度要遠小於半徑，請問圓心處之磁場強度為 750安匝/公尺
4.( ) 有一平衡Y-Y系統，其線電壓之有效值為200V，三相電功率為600W，功率因數為0.9滯後，請問各相負載阻抗為 54＋j26.2Ω
5.( ) 有一放大器僅含兩個極點且無零點，高頻極點f_P2為低頻極點f_P1的100倍，此放大器於f_P2的增益大小為1，請問此放大器的相位邊限為 45度
6.( ) 有一矽質半導體，其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3，若每2×10^9原子加入一個受體雜質，請問將轉換成何種外質半導體，且載子濃度為 P型半導體，少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
7.( ) 有一差動放大器，其一端輸入V_i1＝100μV，另一端輸入V_i2＝50μV，且此放大器之差模增益A_d為100，而共模拒斥比CMRR為10，請問此輸出電壓為 5.75mV
8.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m?，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為 －7.5
9.( ) 有一穩壓器IC的型號為LM7812，請問其額定輸出電壓為 12V
10.( ) 假設一JFET共源極放大器，互導g_m＝2mS、汲極電阻R_D＝15kΩ、負載電阻R_L＝5kΩ、源極接地，請問電壓放大倍率為 －7.5
電晶體
1.( ) 共射極組態 這種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
2.( ) NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合，其餘99.875%被集極收集，則此電晶體之β值為 799
3.( ) 下列有關電晶體α與β關係 1/α＝1＋（1/β） β＝α/（1－α） α＝β/（1＋β） 有誤
4.( ) 在電晶體h參數中，代表輸入開路時之輸出導納為 h_22
5.( ) 有關BJT電晶體與金氧半場效電晶體（MOSFET）電路的敘述， BJT比MOSFET不適合製作為記憶體 正確
6.( ) 若有一BJT電晶體在工作區時，其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA，試求其直流增益β_DC為 99
7.( ) 若電晶體輸出電流I_CQ＝0.99mA，α＝0.99及V_T＝25mV，求電晶體交流等效電阻r_e為 25Ω
8.( ) 電晶體（BJT）放大電路三組態中， 共射極組態 這種組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差180°
9.( ) 電晶體共基極組態的洩漏電流I_CBO與共射極組態的洩漏電流I_CEO的關係為 I_CEO＝（1＋β）I_CBO
10.( ) 電晶體的三種組態放大電路，其輸出阻抗 共基極 最大
這種
輸出電壓
假設
1.( ) 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為 2V
2.( ) 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz，假設電阻R＝10kΩ，求電感L及24kHz時的︱H（jω）︱為 0.40H，0.164
3.( ) 假設V（t）＝V sin （ωt）的均方根值為v_1，當V（t）通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v_2，則v_1/v_2為 1
4.( ) 假設一JFET之I_DSS＝6mA、V_P＝－4V，若工作於V_GS＝－2V，試求互導g_m為 1.5mS
5.( ) 假設一JFET共源極放大器，互導g_m＝2mS、汲極電阻R_D＝15kΩ、負載電阻R_L＝5kΩ、源極接地，請問電壓放大倍率為 －7.5
6.( ) 假設一功率電晶體之接面最高允許溫度T_J（MAX）＝175℃，於外殼溫度T_C＝25℃下，若熱阻θ_JC＝1℃/W，則其最高散逸功率P_D（MAX）為 150W
7.( ) 假設一電晶體β＝50、I_C＝5mA、V_T＝25mV，則基極對地交流電阻r_π為 250Ω
8.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10^4Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為 10^6Hz
9.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零，峰值（VP）相同之波型，以下 方波 具有最大之均方根值（Vrms）
10.( ) 假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98，則β參數之變化為 由99變化到49
電壓增益
增益
1.( ) 一個放大器其增益為40∠－35°，若要使此電路振盪，其回授增益為 0.025∠35°
2.( ) 四級串接放大器中，各級的電壓增益為10，則總電壓增益為 80 dB
3.( ) 有一差動放大器，其一端輸入V_i1＝100μV，另一端輸入V_i2＝50μV，且此放大器之差模增益A_d為100，而共模拒斥比CMRR為10，請問此輸出電壓為 5.75mV
4.( ) 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為V_i1＝50μV，V_i2＝40μV，共模拒斥比CMRR＝40dB，差模增益A_d＝250，則 共模增益A_C＝2.5 正確
5.( ) 有一差動放大器，當差動輸入電壓變動0.1V，差動輸出電壓變動2V，若共模電壓增益為2×10^－^4，共模拒斥比（CMRR）為 100dB
6.( ) 有關理想運算放大器（operational amplifier，OPA）的說明，下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益（differential gain）為無窮大 錯誤
7.( ) 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
8.( ) 兩級串接放大電路，其電流增益分別為A_i1＝100，A_i2＝150，若負載阻抗為1kΩ，第一級輸入阻抗為150kΩ，求電路總電壓增益的db值為 40db
9.( ) 某串級放大器輸入電壓為0.01sin（t）V，第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB、5dB，則第三級輸出電壓有效值為 0.707V
10.( ) 差動放大器若其差模增益Ad＝1000共模增益Ac＝1，則其共模拒斥比（CMRR）值為 60dB
如下
輸出
1.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
2.( ) 只有全部輸入信號都是1時，輸出才為1的邏輯閘為 AND
3.( ) 有關共射極放大器的特性敘述， 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180? 正確
4.( ) 某電源供應器，若空載時輸出為20V，滿載時輸出為18V，則電路電壓調整率V.R.%為 11.1%
5.( ) 射極隨耦器常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述， 高輸入阻抗，低輸出阻抗 正確
6.( ) 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為 無穩態多諧振盪器
7.( ) 當一輸出額定值為40W的放大器被接到一個10Ω的揚聲器上，若放大器之功率增益為20dB，試求在全功率輸出時，輸入功率應為 400mW
8.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為： 有一個二極體開路
9.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為 有一二極體開路
10.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為 有一個二極體開路
輸入
1.( ) XOR邏輯閘，當兩組輸入分別是1，0和1，1，其輸出結果是 1，0
2.( ) 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下，它們之輸入－輸出特性曲線之最大不同處為 CMOS之輸出電壓可為零，但空乏型負載之NMOS不為零
3.( ) 一般頻率計數器將待測信號輸入後，可由 樞密特觸發電路 這種電路轉換為脈波後，來控制計數器的計數
4.( ) 一理想運算放大器接上＋15V及－15V電源，若將反相輸入端（一輸入端）接至＋6V，非反相輸入端（＋輸入端）接地，則輸出電壓為 －15V
5.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
6.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
7.( ) 由理想運算放大器（OPA）所製作的應用電路中， 比較器 這一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路
8.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時，通常輸入 方波 較適用
9.( ) 在電晶體h參數中，代表輸入開路時之輸出導納為 h_22
10.( ) 有一差動放大器，其一端輸入V_i1＝100μV，另一端輸入V_i2＝50μV，且此放大器之差模增益A_d為100，而共模拒斥比CMRR為10，請問此輸出電壓為 5.75mV
負載
1.( ) 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下，它們之輸入－輸出特性曲線之最大不同處為 CMOS之輸出電壓可為零，但空乏型負載之NMOS不為零
2.( ) 一個交流負載輸入電流為i（t）＝4cos（10πt＋10°）A，輸入電壓為v（t）＝120cos（10πt－20°）V，求此負載吸取的視在功率（Apparent power）為 240VA
3.( ) 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1＋j0.6Ω，發電機的內部相電壓為240V，供電給三相Y形的平衡負載，每相的負載阻抗為39＋j28Ω，發電機與負載之間的線路阻抗為0.9＋j1.4Ω，求損耗在線路中的總平均功率為 62.208W
4.( ) 有一負載的功率因數為1.0，請問此負載屬 純電阻性負載 這種性質負載
5.( ) 承第41題，此負載之功率因數（PF）為 0.73
6.( ) 某一射極耦合電路，其輸入阻抗為10kΩ，負載為10Ω，電壓增益為10，則功率增益為 50dB
7.( ) 某負載兩端之電壓為V（t）＝60sin（t＋30?）＋80sin（3t＋60?）V，流經之電流i（T）＝3sin（t－30?）＋4sin（3t＋30?）A。則負載吸收之實功率為 183.6W
8.( ) 某負載兩端之電壓為V（t）＝60sin（t＋30°）＋80sin（3t＋60°）V，流經之電流i（T）＝3sin（t－30°）＋4sin（3t＋30°）A。則負載吸收之實功率為 183.6W
一個
1.( ) CMOS傳輸（Transmission）閘構造為 一個NMOS和一個PMOS並聯
2.( ) 一個25μF之電容器兩端加上電壓V（t）＝10sin200t V，則電容阻抗值為 －j200Ω
3.( ) 一個交流負載輸入電流為i（t）＝4cos（10πt＋10°）A，輸入電壓為v（t）＝120cos（10πt－20°）V，求此負載吸取的視在功率（Apparent power）為 240VA
4.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
5.( ) 有一RLC串聯電路，連接一個60Hz，100V之電源。電路之R＝10Ω，X_L＝50Ω，X_C＝－0.5Ω，則此電路之諧振頻率為 6Hz
6.( ) 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為 2V
7.( ) 有一個調諧C類放大器，電源Vcc＝20V且最大輸出功率為2W，若推動此放大器的輸入信號頻率為200KHz，導通的時間為每週期1μs，且導通時I_C（sat）＝100mA，V_CE（sat）＝0.2V，則此放大器的最大效率為 99.8%
8.( ) 若某一個電晶體之I_CBO＝40nA、I_CEO＝10μA，則此電晶體之β值為 249
9.( ) 假設V（t）＝V sin （ωt）的均方根值為v_1，當V（t）通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v_2，則v_1/v_2為 1
10.( ) 當一個BJT之基極接至集極，並接成順向偏壓，則 其形成一個順向偏壓的PN二極體仍可視為工作於作用區（active region）的BJTVCE值為0.7V 錯誤
電晶
多少
稽納二極體
頻率
1.( ) 一交流電流i（t）＝10sin 785t（mA）流過1kΩ電阻，則電流波形的頻率為 125Hz
2.( ) 一放大器的－3 dB頻率為20 Hz及15 kHz，設其工作於標準測試頻率（1 kHz）時的輸出為20 W，求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為 10 W
3.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時，電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
4.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2.5μs，工作週期為4％，則此脈波之頻率為 16KHz
5.( ) 有一脈波寬度為100μs，工作週期為50%，則此脈波之頻率為 5kHz
6.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路，負載阻抗Z＝100＋j100Ω，若要將功率因數修正為0.95，需要並聯 8.9μF 電容器
7.( ) 有一電壓v（t）＝Vmsinωt，當其串聯一純電阻後，則其瞬時功率會包含 2ω 這種頻率
8.( ) 若一弦波信號f（t）＝5cos9425t，將載波C（t）＝cos94248t做波幅調變，則發射之調幅波的上旁波帶頻率為 16.5kHz
9.( ) 若一電源頻率為50Hz，經半波整流後，輸出電壓漣波頻率為 50Hz
10.( ) 若一電源頻率為60Hz，經半波整流後，輸出電壓之漣波頻率為 60Hz
輸入阻抗
1.( ) 電流並聯負回授 這種負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
2.( ) 輸入阻抗非無限大 不會造成電壓放大器之輸出波形扭曲（distortion）
3.( ) 下列有關理想運算放大器的敘述， 輸入阻抗無窮大輸出阻抗為零可做加減法器 錯誤
4.( ) 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述 共射極之功率增益最高共射極為反相放大共集極之輸入阻抗最高 有誤
5.( ) 下列關於負回授電路之敘述 電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗 迴路增益（Loop Gain）在相位移180?下，增益小於1，電路才會穩定 對於單一極點之開迴路放大器，加入電阻性負載後，電路一定穩定 有誤
6.( ) 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為 441
7.( ) 有關BJT與FET的比較，敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確
8.( ) 有關理想放大器的敘述，下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
9.( ) 有關理想運算放大器（operational amplifier，OPA）的說明，下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益（differential gain）為無窮大 錯誤
10.( ) 有關理想運算放大器之敘述，下列 輸入阻抗（R_i）等於無窮大輸出阻抗（R_o）等於零開迴路增益（A_vo）等於無窮大 錯誤
體的
使用
1.( ) BJT或FET單一組態放大器各有其特點，若欲得到高輸入阻抗、高增益、高頻響應佳之疊加放大器（Cascade Amplifier），須使用 共源極－共閘極 這種疊加放大器組合
2.( ) 一放大器之低頻截止點為100Hz，若將此相同之放大器兩組串接後使用，則串接後放大器的低頻截止點約為 156Hz
3.( ) 目前超大型積體電路（VLSI Circuit）所使用的電晶體大多數為 CMOSFET 這種電晶體
4.( ) 有一個一階運算放大器，其直流增益為10^6，且有一極點於10rad/s，零點為無窮大，使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為10，求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
5.( ) 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
6.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓，獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓，則其漣波百分比為： 11.3%
7.( ) 使用三用電表量NPN電晶體，以下 B接正電棒，C接負電棒 這種接法可以量到非無限大之導通電阻
8.( ) 使用指針式三用電錶，轉到低電阻檔（如x100），用紅棒接觸電晶體任一腳，再以黑棒接觸其他兩腳，此時電錶指針都會產生大偏移，則此紅棒接觸之腳為 基極端
9.( ) 電子錶裝上電池後可使用相當久之一段時間而不需更換電池，其主因之一是使用了省電之 CMOS電路
10.( ) 對於一個放大器，其電壓增益A＝－100，輸入阻抗為10kΩ，使用一電阻R＝100kΩ，跨接在輸入和輸出端，其輸入阻抗變為 900.9Ω
增加
1.( ) n型半導體若將其n型摻雜之雜質濃度提高則其導電度： 增加
2.( ) 在一個NPN電晶體共射極放大器中，通常其β值隨著IC的增加而作 先增加再下降 這種變化
3.( ) 有關pn接面（junction）二極體之敘述，下列 順向偏壓時，只要增加一些電壓，電流就會增加甚多逆向偏壓時，電流幾乎為零在相同電流下，當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
4.( ) 有關多級串接放大器電路之敘述，下列 系統之總增益增加系統穩定度變差系統之總相位移增加 錯誤
5.( ) 有關放大器加上負回授之後的效果， 頻寬增加非線性失真減少增益減少 錯誤
6.( ) 有關逆向偏壓接面電容之敘述， 隨逆向偏壓降低而增加 正確
7.( ) 放大器加入負回授（Negative feedback）的主要目的是 增加穩定性
8.( ) 某一放大器之電壓增益為100，頻寬為20kHz，若利用負回授將頻寬增加為50kHz，則此放大器之電壓增益變為 40
9.( ) 對BJT電晶體信號放大採自偏電壓（self-biasing）之設計及增加Re電阻，敘述 增加熱穩定度 為正確
10.( ) 對歐利效應（Early effect）及其影響，敘述 α值隨著|V_CB|的增加而變大 正確
輸入電壓
電阻
1.( ) 一色碼電阻之色環顏色，依序為黃紅紫銀，則電阻值為 42×10^7±10%
2.( ) 一電壓源為12V，其內電阻為1Ω，今滿載時電流為1A，則此電源之電壓調整率（voltage regulation）為 約9.1%
3.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時，電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
4.( ) 下列關於開關電容濾波器（The Switched-Capacitor Filter）的敘述 需使用不重疊（non-overlapping）的脈波來切換開關 在積體電路中可以掌握更精確的時間常數 利用快速切換的電容所等效的電阻，切換頻率越高，電阻越小 有誤
5.( ) 有一放大器應用電路，設放大器U1為理想放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為＋10V與－10V，亦即輸出電壓侷限在－10V到＋10V之間。設電阻R1、R2均相等，今輸入電壓VI為振幅VP＝1V之正弦波，試研判輸出電壓VO之反應 VO將落入一定值不再變動
6.( ) 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz，假設電阻R＝10kΩ，求電感L及24kHz時的︱H（jω）︱為 0.40H，0.164
7.( ) 有一個一階運算放大器，其直流增益為10^6，且有一極點於10rad/s，零點為無窮大，使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為10，求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
8.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m?，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為 －7.5
9.( ) 有一電阻R＝2Ω，將其通過i（t）＝4sin（ωt＋30?）A之電流時，電阻消耗之功率為 16W
10.( ) 有一電熱器電阻為10Ω，通過5A電流，每秒產生之熱量為 60
β＝
一電
運算放大器
1.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率（slew rate）為5V／μs，倘輸入訊號於15μs內變動3V，則其最大閉迴路增益為 25
2.( ) 以運算放大器建構之RC相移振盪器，其輸出波形為 弦波
3.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器，是屬於 電壓串聯 這種負回授
4.( ) 有一個一階運算放大器，其直流增益為10^6，且有一極點於10rad/s，零點為無窮大，使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為10，求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
5.( ) 有關運算放大器轉換速度（slew rate， SR）的敘述，下列 轉換速度一般皆以每微秒若干伏（V/μs）表示轉換速度所代表的就是運算放大器對輸入信號響應的速度上限若運算放大器可用時間常數為τ的一階低通濾波器表示，且小信號步階輸入的振幅為V，V/τ不大於SR，則輸出電壓將以V/τ的速度上升 錯誤
6.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10^4Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為 10^6Hz
7.( ) 理想的運算放大器，其開路增益及輸入電阻分別為 無限大；無限大
8.( ) 當運算放大器有虛地（Virtual Ground）性質時，其增益A及操作區域為 增益A＝∞，線性區
9.( ) 當運算放大器作比較器時的敘述 操作在飽和區 正確
10.( ) 運算放大器之積體電路編號741的接腳定義，下列 第2腳為反相輸入端 第8腳為空腳 第7腳為＋V_CC 錯誤
分別
已知
1.( ) 已知f（t）的拉普拉斯轉換為F（S）＝ ，請問f（t）為 ＋sint
2.( ) 已知一放大電路電壓增益A_V為100，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P （dB）為 30dB
3.( ) 已知弦波電壓為v＝10cos（4712.39t－53.13?）V，試求其週期T及相角為 1.33ms，－53.13?
4.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m?，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為 －7.5
5.( ) 有一電容器C＝0.5F，其電流i（t）＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為 16J
放大電路
輸出阻抗
1.( ) 電流並聯負回授 這種負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
2.( ) BJT放大器中， 共集極放大器 輸出阻抗最低
3.( ) 下列有關理想運算放大器的敘述， 輸入阻抗無窮大輸出阻抗為零可做加減法器 錯誤
4.( ) 由理想運算放大器所組成之非反相（non-inverting）組態放大器， 輸出阻抗為0Ω輸入阻抗為無限大電壓增益由電阻比值決定 錯誤
5.( ) 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為 441
6.( ) 有關理想放大器的敘述，下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
7.( ) 有關理想運算放大器之敘述，下列 輸入阻抗（R_i）等於無窮大輸出阻抗（R_o）等於零開迴路增益（A_vo）等於無窮大 錯誤
8.( ) 有關達寧頓電路特性的敘述，下列 高輸入阻抗低輸出阻抗高電流增益 錯誤
9.( ) 使一個npn型電晶體操作在v_BE＝670mV，I_C＝2mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^－^5?，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為 10kΩ
10.( ) 射極隨耦器之阻抗特性是 高輸入阻抗，低輸出阻抗
溫度
1.( ) 一矽質二極體於溫度25℃時之逆向飽和電流為5nA，當溫度上升至55℃時，其逆向飽和電流將變為 40nA
2.( ) 二極體接逆向偏壓時，其逆向飽和電流I_s之敘述， 與溫度成正比 正確
3.( ) 有一矽二極體，在20°C時的逆向飽和電流為3nA，當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為 48nA
4.( ) 矽（Si）的本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為1.5×10^10cm^－3，在同樣的溫度下，若受體（acceptor）濃度為1.5×10^15cm^－3，熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^－3
5.( ) 矽二極體在溫度25°C時之逆向飽和電流為10nA，若溫度上升至55°C時，逆向飽和電流變為 80nA
6.( ) 某一個稽納二極體在25℃時崩潰電壓為10V，其溫度係數為0.05%/℃，當溫度為61℃時，此稽納二極體之崩潰電壓為 10.18V
7.( ) 某矽質二極體，在溫度25℃時的逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至55℃時，則逆向飽和電流變為 40nA
8.( ) 某矽質二極體在溫度20℃時逆向飽和電流為5nA，當溫度為30℃時，此二極體逆向飽和電流為 10nA
9.( ) 若一齊納二極體（Zener Diode）在25?C時崩潰電壓為15V，溫度係數為0.02%/?C，若崩潰電壓升為15.135V，求當時溫度為 70?C
10.( ) 若溫度每增高10℃，矽二極體的逆向飽和電流IS值會增為兩倍，則當溫度增高40℃，IS會增為 16倍
電流增益
下圖
理想
1.( ) 一理想矽質PN介面的二極體，在T＝300K時（V_T＝26mV），其逆向偏壓的飽和電流為I_S＝2×10^－^14A且n＝1，請問在順向偏壓＋0.65V時的電流值為 1.44mA
2.( ) 有關理想電壓源的敘述， 內阻為零 正確
3.( ) 假設V（t）＝V sin （ωt）的均方根值為v_1，當V（t）通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v_2，則v_1/v_2為 1
4.( ) 轉導放大器（Transconductance Amplifier）的理想特性為 R_i＝∞，R_o＝∞
功率
1.( ) 1mA電流流經1KΩ電阻時，所消耗的功率為 1mW
2.( ) 一功率放大器之直流輸入功率為100W，交流輸出功率為86W，其類型為 C類
3.( ) 一功率放大器之直流輸入功率為50W，交流輸出功率為43W，其類型為 C類
4.( ) 有一台抽水機，其速率600公升/秒，將水由地下10公尺抽至高20公尺之水塔上，則抽水機之功率為 177仟瓦
5.( ) 有一電阻R＝2Ω，將其通過i（t）＝4sin（ωt＋30?）A之電流時，電阻消耗之功率為 16W
6.( ) 有一電壓源v（t）＝2sint＋4sin3t V，加在2Ω之電阻兩端，則電阻消耗之功率為 5W
7.( ) 有關放大器效率的敘述， 計算時一般忽略掉輸入端的功率 正確
元件
1.( ) BJT 這種元件有可能會產生熱跑脫（Thermal Runaway）現象
2.( ) NPN電晶體 這一種元件的工作速度最快
3.( ) 電容 這種元件的儲存能量與電壓平方成正比
4.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時，是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作 有誤
5.( ) 元件中 發光二極體 不適合當作感測器
6.( ) 在純矽中加入少量五價元素，會形成 N型半導體 這種元件
7.( ) 在積體電路設計中，盡量避免使用 電感 這種元件
8.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET，其臨限電壓Vt＝2V，假使其源極（source）接地而閘極（gate）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation），則汲極（drain）之最低電壓為 3V
9.( ) 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為 2V
10.( ) 某一N通道增強型MOSFET的V_DS＝4V，元件參數K＝0.5mA/V^2，臨界電壓V_T＝2V，若元件工作於夾止區且ID＝2mA，則V_GS為 ＋4V
射極
1.( ) NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合，其餘99.875%被集極收集，則此電晶體之β值為 799
2.( ) 一共射極A類放大器，射極上有電阻，現用一大電容與此射極電阻並聯後接地，問此一大電容之目的為 提高增益
3.( ) 在BJT電晶體中，有關Early效應（Early effect）的敘述， 在固定基極射極間輸入電壓時，提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減 正確
4.( ) 有一共射極之電晶體，其偏壓於工作區測得I_C＝1.47mA，I_E＝1.50mA，則該電晶體的α、β參數分別為 α＝0.98、β＝49
5.( ) 設計電晶體差動放大器時，射極共同點接一穩定電流源之主要目的為 提高CMRR
6.( ) 晶體共射極放大器若加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則敘述 電壓增益降低 正確
7.( ) 關於BJT電晶體共射極放大器（CE），增加射極旁路電容之目的為 提高電壓增益
8.( ) 關於偏壓電路，敘述 射極回授式偏壓電路之射極電阻產生的負回授有自動調整基極電流的功能 正確
共射極
產生
1.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
2.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
3.( ) 有一電熱器電阻為10Ω，通過5A電流，每秒產生之熱量為 60
4.( ) 使用指針式三用電錶，轉到低電阻檔（如x100），用紅棒接觸電晶體任一腳，再以黑棒接觸其他兩腳，此時電錶指針都會產生大偏移，則此紅棒接觸之腳為 基極端
5.( ) 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為 無穩態多諧振盪器
6.( ) 產生擴散電流之原因為 半導體內載子濃度不同
7.( ) 當n型半導體受熱後，所產生之新載子以 電洞與電子一樣多 較多
8.( ) 當P型及N型材料相接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有 負離子
9.( ) 運算放大器若利用R_C相移電路產生振盪，則此R_C電路必須提供的相位移為 180?
具有
1.( ) 透納二極體 這種二極體具有負電阻特性
2.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛，其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
3.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
4.( ) 正反器 T正反器 具有除2的功能
5.( ) 在雙載子接面電晶體（BJT）放大器中，具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 這種組態
6.( ) 多級放大器耦合類別中， 直接耦合 這種耦何具有良好的低頻響應
7.( ) 非反向運算放大器電路具有增益40dB，其3dB頻率為25kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要50kHz的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為 50V/V
8.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零，峰值（VP）相同之波型，以下 方波 具有最大之均方根值（Vrms）
9.( ) 達靈頓（Darlington）電路具有 高輸入電阻及大電流增益 這種優點
10.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為： 有一個二極體開路
崩潰電壓
最大
1.( ) RLC串聯共振時，下列 電路之功率因數等於1R值改變時，共振頻率不會改變電路中電流值為最大 錯誤
2.( ) 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下，它們之輸入－輸出特性曲線之最大不同處為 CMOS之輸出電壓可為零，但空乏型負載之NMOS不為零
3.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率（slew rate）為5V／μs，倘輸入訊號於15μs內變動3V，則其最大閉迴路增益為 25
4.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體（LED），在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓，而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
5.( ) 各電路中，功率增益最大者為 共射極（CE）電路
6.( ) 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A，則該放大器輸出最大交流功率為 5W
7.( ) 某交流電路e＝100sin（314t－30?），i＝50sin（314t＋30?），其最大瞬時功率P_max為 3750W
8.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零，峰值（VP）相同之波型，以下 方波 具有最大之均方根值（Vrms）
9.( ) 電晶體的三種組態放大電路，其輸出阻抗 共基極 最大
組態
1.( ) 共射極組態 這種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
2.( ) BJT電晶體放大器組態中， 共集極 最適合做為阻抗匹配器
3.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
4.( ) 比較晶體基本偏壓組態，敘述 共射極： 正確
5.( ) 在雙載子接面電晶體（BJT）放大器中，具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 這種組態
6.( ) 有關電晶體組態的敘述，下列 共基極（CB）組態的電流增益小於1共集極（CC）組態的電壓增益小於1共集極（CC）組態的輸出阻抗最低 錯誤
7.( ) 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
8.( ) 串級（Cascade）電晶體組態中，為求得最大電壓增益，通常使用 共射極 放大器組態作為第二級放大器
9.( ) 組態的放大器， 共集極 輸出電阻最小
10.( ) 組態的放大器，共集極輸出電阻最小，若利用此一達松法爾裝置，設計成可測量0∼100V的電壓表，則此電壓表的靈敏度為 1KΩ/V
逆向偏壓
負回授
一般
1.( ) 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在 作用區（active region）內 這種區域內，可獲得較佳之放大倍率
2.( ) 一般直流放大器（DC Amplifier）其交連方式為 採直接耦合
3.( ) 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓，在正常順向電壓工作情況下約為 0.7V
4.( ) 一般商用發電廠的主發電機為 同步發電機
5.( ) 一般頻率計數器是利用 施密特觸發電路 這一種電路，將待測訊號輸入轉換為脈波來計數
6.( ) 一般頻率計數器將待測信號輸入後，可由 樞密特觸發電路 這種電路轉換為脈波後，來控制計數器的計數
7.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時，是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作 有誤
8.( ) 比較一般功率放大器之最高功率轉換效率（power conversion efficiency），其大小次序為 B類≧AB類≧A類
9.( ) 交換式電源穩壓電路，一般是以 脈寬調變 這種技術來控制功率半導體的導通時間
10.( ) 有關BJT與FET的比較，敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確
電容器
1.( ) 60μF之電容器，帶有10庫倫之電荷，其儲存之電能為 0.83×10^6焦耳
2.( ) 有一電容器C＝0.5F，其電流i（t）＝6t A。已知t＝0s時，電容器上之電壓為2V，求t＝1s時，儲存於電容器之能量為 16J
3.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路，負載阻抗Z＝100＋j100Ω，若要將功率因數修正為0.95，需要並聯 8.9μF 電容器
4.( ) 有兩電容器C1及C2分別為6μF及9μF，串接於300V電源上，則兩電容器之電壓分別為 V1＝180V，V2＝120V
5.( ) 於L-C串聯電路中，若L＝2.653H，且與C串聯接於60Hz之電源，今欲改變電容量使達到共振，請問電容器C之值應調整為 2.653μF
6.( ) 關於電容器，敘述 電容器填充介質材料的不同，直接影響電容器的特性 正確
方波
1.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時，通常輸入 方波 較適用
2.( ) 有關微分器、積分器之敘述， 方波通過積分器後之輸出波形為三角波 正確
3.( ) 有關積分器及微分器的敘述，選項 方波通過積分器的輸出波形為三角波 正確
β值
飽和區
工作
1.( ) NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合，其餘99.875%被集極收集，則此電晶體之β值為 799
2.( ) 一放大器的－3 dB頻率為20 Hz及15 kHz，設其工作於標準測試頻率（1 kHz）時的輸出為20 W，求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為 10 W
3.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體（LED），在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓，而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
4.( ) 某一N通道增強型MOSFET的V_DS＝4V，元件參數K＝0.5mA/V^2，臨界電壓V_T＝2V，若元件工作於夾止區且ID＝2mA，則V_GS為 ＋4V
5.( ) 某一N通道增強型MOSFET的VDS＝4V，元件參數K＝0.5mA/V^2，臨界電壓V_T＝2V，若元件工作於夾止區且I_D＝2mA，則V_GS為 ＋4V
6.( ) 若NPN電晶體工作於工作區，其三端的電壓關係為 V_C＞V_B＞V_E
7.( ) 若npn電晶體工作於截止區時，接面偏壓敘述 基－射接面逆向偏壓，基－集接面逆向偏壓 正確
8.( ) 假設一JFET之I_DSS＝6mA、V_P＝－4V，若工作於V_GS＝－2V，試求互導g_m為 1.5mS
9.( ) 當一個BJT之基極接至集極，並接成順向偏壓，則 其形成一個順向偏壓的PN二極體仍可視為工作於作用區（active region）的BJTVCE值為0.7V 錯誤
10.( ) 電晶體若工作在飽和區，下列 I_B＞I_C（SAT） V_CE（SAT）＝0.2V 常應用在數位電路 錯誤
偏壓
1.( ) BJT電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區，在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述， 皆為順向偏壓 正確
2.( ) 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在 作用區（active region）內 這種區域內，可獲得較佳之放大倍率
3.( ) 比較晶體基本偏壓組態，敘述 共射極： 正確
4.( ) 在未外加偏壓下，下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述，請問 所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位高 在空乏區中，P側有負離子、N側有正離子 P、N兩側空乏區的寬度，其所摻雜的雜質濃度愈高，則該側空乏區的寬度愈窄 錯誤
5.( ) 有一N通道JFET，其I_DSS＝9mA，V_P＝－3V，請問當直流偏壓V_GS＝－1V時，其汲極電流I_D為 4mA
6.( ) 有一共射極之電晶體，其偏壓於工作區測得I_C＝1.47mA，I_E＝1.50mA，則該電晶體的α、β參數分別為 α＝0.98、β＝49
7.( ) 有一電晶體，適當偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則此電晶體的α值為 0.99
8.( ) 有關LED之敘述，下列 發出的光為散射光順向偏壓時發光屬於冷性發光 錯誤
9.( ) 若npn電晶體工作於截止區時，接面偏壓敘述 基－射接面逆向偏壓，基－集接面逆向偏壓 正確
振盪器
1.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
2.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
3.( ) 有關非正弦波振盪器之敘述 史密特觸發器可用來作為波形整形電路 為真
4.( ) 有關振盪器的敘述，下列 石英晶體振盪器的輸出頻率最穩定 RC相移振盪器至少需3級RC電路來做相移 韋恩電橋振盪器輸出是低頻弦波 錯誤
5.( ) 振盪器， 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
6.( ) 振盪器 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
並聯
1.( ) 電流並聯負回授 這種負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
2.( ) CMOS傳輸（Transmission）閘構造為 一個NMOS和一個PMOS並聯
3.( ) 一共射極A類放大器，射極上有電阻，現用一大電容與此射極電阻並聯後接地，問此一大電容之目的為 提高增益
4.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路，負載阻抗Z＝100＋j100Ω，若要將功率因數修正為0.95，需要並聯 8.9μF 電容器
5.( ) 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為 將二極體與負載並聯
三角波
電洞
1.( ) N型半導體的少數載子為電洞 本質半導體中所加入的五價元素稱為施體 在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體 錯誤
2.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛，其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
3.( ) P型半導體中，傳導電流的載子主要是 電洞
4.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
5.( ) 在P型半導體中，載子的狀況是 有多數電洞及少數電子
6.( ) 發光二極體的發光強度與 電子、電洞復合率 成正比關係
7.( ) 當n型半導體受熱後，所產生之新載子以 電洞與電子一樣多 較多
電子
1.( ) 電子 為N通道場效電晶體（FET）之電荷載子
2.( ) FET的導電載子為 P通道電洞，N通道電子
3.( ) NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合，其餘99.875%被集極收集，則此電晶體之β值為 799
4.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
5.( ) 在P型半導體中，載子的狀況是 有多數電洞及少數電子
6.( ) 有關材料基本性質之敘述，下列 原子核最外層的電子稱為價電子自由電子存在於物質的傳導帶中導體材料的傳導帶與價電帶重疊 錯誤
7.( ) 發光二極體的發光強度與 電子、電洞復合率 成正比關係
8.( ) 當n型半導體受熱後，所產生之新載子以 電洞與電子一樣多 較多
9.( ) 電子實習中，常使用負電阻電路， 透納二極體 可正確完成電路
電源
1.( ) 60Hz之電源經橋式整流後所得之漣波頻率為 120Hz
2.( ) 一直流電源其無載電壓為50V，內電阻為2Ω，滿載提供電流為5A，則此電源之電壓調整率為 25%
3.( ) 一電壓源為12V，其內電阻為1Ω，今滿載時電流為1A，則此電源之電壓調整率（voltage regulation）為 約9.1%
4.( ) 由DC電源變換成AC電源，最常用的裝置為 變流器
5.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極，該電容C_C之主要功能為 隔離直流
6.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路，R＝50Ω，L＝50mH，C＝80μF。欲使電路出現最大電流振幅，則電源角頻率ω值為 500rad/s
7.( ) 有一直流電源之電動勢為30V，內阻為2Ω，滿載時所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為 20%
8.( ) 有一個調諧C類放大器，電源Vcc＝20V且最大輸出功率為2W，若推動此放大器的輸入信號頻率為200KHz，導通的時間為每週期1μs，且導通時I_C（sat）＝100mA，V_CE（sat）＝0.2V，則此放大器的最大效率為 99.8%
特性
1.( ) 透納二極體 這種二極體具有負電阻特性
2.( ) B類放大器的特性為 失真大，效率高
3.( ) 一特性均勻的電熱線中有一處折彎，有一處折裂但未斷，則電熱絲中最熱之處為 折裂處
4.( ) 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述 輸出訊號與輸入訊號相位相同電壓增益略小於1輸入阻抗甚高 有誤
5.( ) 有一RLC串聯電路，R＝560Ω，L＝100mH，C＝0.1μF，其電流之自然響應特性為 欠阻尼
6.( ) 有關共射極放大器的特性敘述， 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180? 正確
7.( ) 就達靈頓電路的特性而言，下列 電流增益很高 輸入阻抗很高 輸出阻抗很低 錯誤
8.( ) 轉導放大器（Transconductance Amplifier）的理想特性為 R_i＝∞，R_o＝∞
9.( ) 關於OPA的理想特性， CMRR無限大 頻寬無限大 開路增益無限大 錯誤
10.( ) 關於正回授電路的特性， 產生週期性信號 正確
共集極
輸出波形
通過
1.( ) 正弦波 這種輸入信號通過微分器後，其輸出訊號波形與輸入波形是相同
2.( ) 有一電阻R＝2Ω，將其通過i（t）＝4sin（ωt＋30?）A之電流時，電阻消耗之功率為 16W
3.( ) 有一電熱器電阻為10Ω，通過5A電流，每秒產生之熱量為 60
4.( ) 有關微分器、積分器之敘述， 方波通過積分器後之輸出波形為三角波 正確
5.( ) 有關積分器及微分器的敘述，選項 方波通過積分器的輸出波形為三角波 正確
6.( ) 假設V（t）＝V sin （ωt）的均方根值為v_1，當V（t）通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v_2，則v_1/v_2為 1
7.( ) 關於CMOS反相器的敘述 輸入為VDD/2時，通過PMOS及NMOS電流最大 正確
波形
1.( ) 正弦波 這種輸入信號通過微分器後，其輸出訊號波形與輸入波形是相同
2.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
3.( ) 有兩個電流方程式分別為i1（t）＝10sin（120πt）A，i2（t）＝5sin（120πt＋30°）A，則此兩波形時間差為 1.39ms
正弦波
1.( ) 正弦波 這種輸入信號通過微分器後，其輸出訊號波形與輸入波形是相同
2.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
3.( ) 一正弦波交流電壓之峰值為220V，則經全波整流後之平均值Va為 140.06V
4.( ) 一般工業用電源為正弦波交流電220V、60Hz，試問 v（t）＝311sin（377t）V 為正確電壓方程式
5.( ) 下列有關對稱函數的傅立葉級數展開之敘述 偶對稱函數不存在正弦波成分 奇對稱函數不存在餘弦波成分 半波對稱函數僅存在奇次諧波成分 有誤
濾波器
1.( ) 有一放大器電路其轉移函數為 ，此為 帶通濾波器 這種濾波器
2.( ) 有一濾波器其電壓增益為A_V（ω）＝ ，試問此為 高通 這種濾波器
3.( ) 有關濾波器的敘述， 高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 正確
濾波
1.( ) 100V有效值之交流正弦波電壓，經半波整流與濾波後，其輸出電壓值為 141V
2.( ) 在一二極體橋式全波整流電路中，若輸入電壓為弦波，則敘述 輸出電壓若經適當濾波，最高可達輸入電壓的峰值VP 正確
3.( ) 直流電源供應器係用來將交流電源轉換為直流電源，在經變壓器後，其轉換通常依序為 整流→濾波→穩壓
4.( ) 家用的交流電源110V、60Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓平均值約為 50V
5.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 這種濾波器較佳
6.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 較佳
頻寬
1.( ) 三級串級放大器，若每一級截止頻率都相同，即f_L＝300Hz，f_H＝50kHz，則該三級串級放大器之頻寬B應為 24.9kHz
2.( ) 有關放大器加上負回授之後的效果， 頻寬增加非線性失真減少增益減少 錯誤
3.( ) 某一放大器之電壓增益為100，頻寬為20kHz，若利用負回授將頻寬增加為50kHz，則此放大器之電壓增益變為 40
4.( ) 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述， 增益變大，頻寬變窄 正確
5.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o＝100dB，當頻率f＝10^4Hz時，其開路增益的大小為40dB，請問此放大器之單位增益頻寬（unit gain bandwidth）值約為 10^6Hz
濃度
1.( ) 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值V_T，敘述 降低基體（Substrate）的濃度（N_A） 正確
2.( ) 有一矽質半導體，其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3，若每2×10^9原子加入一個受體雜質，請問將轉換成 P型半導體，少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 這種外質半導體，且載子濃度為何
3.( ) 有一矽質半導體，其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3，若每2×10^9原子加入一個受體雜質，請問將轉換成何種外質半導體，且載子濃度為 P型半導體，少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
4.( ) 矽（Si）的本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為1.5×10^10cm^－3，在同樣的溫度下，若受體（acceptor）濃度為1.5×10^15cm^－3，熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^－3
微分器
其中
功能
輸入電阻
共基極
1.( ) 共基極放大電路 這種電路不具備電流放大的功能
2.( ) 共基極電路 這種雙極性接面電晶體電路組態，適合於高頻放大器應用
3.( ) 有關共基極（CB）放大器之敘述， 電流增益小於1 正確
4.( ) 有關電晶體組態的敘述，下列 共基極（CB）組態的電流增益小於1共集極（CC）組態的電壓增益小於1共集極（CC）組態的輸出阻抗最低 錯誤
5.( ) 電晶體放大器， 共基極 電流增益約為1
6.( ) 電晶體的三種組態放大電路，其輸出阻抗 共基極 最大
輸入信號
圖1
電容
1.( ) 電容 這種元件的儲存能量與電壓平方成正比
2.( ) 一哈特萊震盪器，其震盪線圈L＝400μH，若電容可從400pF調至900pF，則震盪頻率範圍約為 265kHz∼397.5kHz
3.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極，該電容C_C之主要功能為 隔離直流
4.( ) 兩個電容C_1、C_2並聯，其等效電容為 C_1＋C_2
5.( ) 將一電容值為C的電容跨接於增益為A的放大器輸出端及輸入端，其等效輸入米勒（Miller）電容值為 C（1－A）
6.( ) 設計一個哈特萊振盪器（Hartley Oscillator），振盪頻率為100kHz，電感L_1＝L_2＝0.1mH，則電容C為 12.67nF
7.( ) 變容二極體（varactor）常作為電容使用，係應用 電壓 改變其電容量
大小
提供
操作
1.( ) BJT操作在 作用區 這種情形下，I_C?I_E
2.( ) 一n型通道JFET的夾止電壓（pinch-off voltage）為Vp，其操作於歐姆區（ohmic region）的條件為 Vp＜vGS＜0且vGS?－Vp
3.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET，其臨限電壓Vt＝2V，假使其源極（source）接地而閘極（gate）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation），則汲極（drain）之最低電壓為 3V
4.( ) 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓V_T＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為 2V
5.( ) 使一個npn型電晶體操作在v_BE＝670mV，I_C＝2mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^－^5?，當電晶體操作在I_C＝10mA時，其輸出阻抗值為 10kΩ
6.( ) 若一npn的BJT在主動區操作，其α＝0.98，則其β應為 49
7.( ) 當NPN電晶體操作於飽和區時，敘述 V_BE＞0，V_BC＞0，V_CE＞0 正確
8.( ) 當運算放大器作比較器時的敘述 操作在飽和區 正確
9.( ) 電晶體放大器中，小訊號之操作，其主要目標為 線性放大
通常
理想二極體
逆向飽和電流
相同
放大
1.( ) C類 這種放大器不適合用在聲頻放大器作為放大音樂、語言等
2.( ) 二極體不具 放大 這種功能
3.( ) 若要將小信號電壓及電流都放大，可採用 雙極性接面電晶體的共射極放大電路 這種放大電路
4.( ) 傳統式穩壓電路與交換式穩壓電路，此兩電路中的電晶體分別作 前者為放大，後者為開關 這種用途
5.( ) 對BJT電晶體信號放大採自偏電壓（self-biasing）之設計及增加Re電阻，敘述 增加熱穩定度 為正確
6.( ) 對於差動放大器（Differential amplifier）， 可用來放大兩個輸入訊號之差輸入阻抗高組成運算放大器（Operational amplifier）重要元件 錯誤
共模拒斥比
差動放大器
導通
順向偏壓
週期
1.( ) 已知弦波電壓為v＝10cos（4712.39t－53.13?）V，試求其週期T及相角為 1.33ms，－53.13?
2.( ) 有一交流電壓信號V（t）＝100sin 377tV，經半波整流電路後，則一週期內輸出電壓平均值應為 31.8V
3.( ) 若將1KHz之標準正弦波加給一示波器，在CRT上一個完整的週期佔四個方格。若加入待測正弦波信號，一個完整的週期佔五格，則此待測正弦波信號之頻率為 800Hz
阻抗
1.( ) 一放大器輸出阻抗為5kΩ，欲使8Ω的揚聲器能與放大器匹配，則須加變壓器匝數比為 25
2.( ) 有一正相序平衡三相電壓源，線電壓V_ab＝ ∠30?V，經由每相線路阻抗為1＋j0.5Ω的傳輸線，傳送電力到單相阻抗值為9＋j7.5Ω的平衡Δ接負載，請問a相的線電流I_a為 10∠－36.87?A
3.( ) 兩級串接放大電路，其電流增益分別為A_i1＝100，A_i2＝150，若負載阻抗為1kΩ，第一級輸入阻抗為150kΩ，求電路總電壓增益的db值為 40db
4.( ) 射極隨耦器常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述， 高輸入阻抗，低輸出阻抗 正確
兩端
串接
1.( ) 一放大器之低頻截止點為100Hz，若將此相同之放大器兩組串接後使用，則串接後放大器的低頻截止點約為 156Hz
2.( ) 以奇數個反相器串接，再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端，可形成環型振盪器，該振盪器可產生 方波信號 這種穩定的波形信號
3.( ) 四級串接放大器中，各級的電壓增益為10，則總電壓增益為 80 dB
4.( ) 有兩放大器之頻率響應分別為10∼10KHz與100∼20KHz，若將兩放大器串接後使用，則串接後放大器的頻率響應範圍為 100∼10KHz
5.( ) 有兩電容器C1及C2分別為6μF及9μF，串接於300V電源上，則兩電容器之電壓分別為 V1＝180V，V2＝120V
6.( ) 兩級串接放大電路，其電流增益分別為A_i1＝100，A_i2＝150，若負載阻抗為1kΩ，第一級輸入阻抗為150kΩ，求電路總電壓增益的db值為 40db
半導體
1.( ) 有一矽質半導體，其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3，若每2×10^9原子加入一個受體雜質，請問將轉換成 P型半導體，少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 這種外質半導體，且載子濃度為何
2.( ) 有一矽質半導體，其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3，若每2×10^9原子加入一個受體雜質，請問將轉換成何種外質半導體，且載子濃度為 P型半導體，少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
3.( ) 將硼元素摻雜進純矽晶體中，則成為 P型 這種型式的半導體
4.( ) 產生擴散電流之原因為 半導體內載子濃度不同
集極
基極
1.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極，該電容C_C之主要功能為 隔離直流
2.( ) 有關BJT與FET的比較，敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確
3.( ) 使用指針式三用電錶，轉到低電阻檔（如x100），用紅棒接觸電晶體任一腳，再以黑棒接觸其他兩腳，此時電錶指針都會產生大偏移，則此紅棒接觸之腳為 基極端
4.( ) 假設一電晶體β＝50、I_C＝5mA、V_T＝25mV，則基極對地交流電阻r_π為 250Ω
5.( ) 當一個BJT之基極接至集極，並接成順向偏壓，則 其形成一個順向偏壓的PN二極體仍可視為工作於作用區（active region）的BJTVCE值為0.7V 錯誤
6.( ) 對歐利效應（Early effect）及其影響，敘述 α值隨著|V_CB|的增加而變大 正確
7.( ) 對歐利效應（Early effect）及其影響，敘述 少數載體的濃度梯度Pn會在基極內增加 正確
8.( ) 對歐利效應（Early effect）及其影響，敘述 以上皆是 正確
9.( ) 對歐利效應（Early effect）及其影響，敘述 若有效的基極寬度W&apos _B降為零則導致電晶體中的電壓崩潰 正確
兩個