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電子學 證照專業知識測驗




    CubicPower晶智能中心 專業證照基本知識測驗
    關鍵字分類 科目: 電子學

    是非題- 正確的打(O) 錯誤的打(X)


    電壓
    1.( ) 電壓增益略小於1 是達靈頓(Darlington)放大電路之特點
    2.( ) 一理想運算放大器接上+15V及-15V電源,若將反相輸入端(一輸入端)接至+6V,非反相輸入端(+輸入端)接地,則輸出電壓為 -15V
    3.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器,是屬於 電壓串聯 負回授
    4.( ) 有一交流電壓信號V(t)=100sin 377tV,經半波整流電路後,則一週期內輸出電壓平均值應為 31.8V
    5.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    6.( ) 有一濾波器其電壓增益為A_V(ω)= ,試問此為 高通 濾波器
    7.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為: 11.3%
    8.( ) 某一射極耦合電路,其輸入阻抗為10kΩ,負載為10Ω,電壓增益為10,則功率增益為 50dB
    9.( ) 若一電壓相量 =156∠30°,頻率為60Hz,求其交流正弦電壓為 220sin(377t+30°)
    10.( ) 晶體共射極放大器若加入射極電阻,但不加射極旁路電容,則敘述 電壓增益降低 正確


    電路
    1.( ) 共射極組態 BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
    2.( ) 截波器 電路可僅以二極體與電阻器組成
    3.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時,電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
    4.( ) 交換式電源穩壓電路,一般是以 脈寬調變 技術來控制功率半導體的導通時間
    5.( ) 有一R-L串聯之電路接於交流電壓e(t)=10sin(100t-20?),而線電流i(t)=2sin(100t-80?)安培,則此電路之純電阻值為 2.5Ω
    6.( ) 有一電路之電流增益A_i=49,輸入阻抗為2kΩ,輸出阻抗為18kΩ,則此電路之電壓增益為 441
    7.( ) 於共射極電晶體電路中,IE為5 mA,IB為0.1 mA,試求其電流增益為 49
    8.( ) 某電源供應器,若空載時輸出為20V,滿載時輸出為18V,則電路電壓調整率V.R.%為 11.1%
    9.( ) 最基本的電流鏡(current mirror)電路包括 2個BJT及1個電阻
    10.( ) 電子錶裝上電池後可使用相當久之一段時間而不需更換電池,其主因之一是使用了省電之 CMOS電路


    電流
    1.( ) 切斷閘極電流 方法不能使已經導通的SCR截止
    2.( ) 一交流電流i(t)=10sin 785t(mA)流過1kΩ電阻,則電流波形的頻率為 125Hz
    3.( ) 已知一放大電路電壓增益A_V為100,電流增益A_i為10,則其功率增益A_P (dB)為 30dB
    4.( ) 有一N通道JFET,其I_DSS=9mA,V_P=-3V,請問當直流偏壓V_GS=-1V時,其汲極電流I_D為 4mA
    5.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路,R=50Ω,L=50mH,C=80μF。欲使電路出現最大電流振幅,則電源角頻率ω值為 500rad/s
    6.( ) 有兩個電流方程式分別為i1(t)=10sin(120πt)A,i2(t)=5sin(120πt+30°)A,則此兩波形時間差為 1.39ms
    7.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    8.( ) 某NPN電晶體的β=100,集極電流為0.8A,基極電流為12mA,則電晶體處於 飽和模式 區域模式
    9.( ) 若有一BJT電晶體在工作區時,其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA,試求其直流增益β_DC為 99
    10.( ) 就達靈頓電路的特性而言,下列 電流增益很高 輸入阻抗很高 輸出阻抗很低 錯誤


    為何
    1.( ) 1mA電流流經1KΩ電阻時,所消耗的功率為 1mW
    2.( ) 一個P型半導體帶有的靜電荷為 電中性
    3.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體(LED),在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓,而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
    4.( ) 有3+j4Ω、16-j12Ω、-j4Ω等3阻抗並聯連接,試求等效導納為 200∠36.87? mS
    5.( ) 有一元件之電壓及電流分別為v(t)=3cos(3t+20?)V,i(t)=-2sin(3t+30?)A,則電壓和電流之相位關係為 電流領先電壓100?
    6.( ) 有一差動放大器,其Vi1=150μV、Vi2=100μV、Ad=1000、CMRR=100,輸出電壓為 51.25mV
    7.( ) 有兩放大器之頻率響應分別為10∼10KHz與100∼20KHz,若將兩放大器串接後使用,則串接後放大器的頻率響應範圍為 100∼10KHz
    8.( ) 非反向運算放大器電路具有增益40dB,其3dB頻率為25kHz,將其應用在某特殊系統中,若此系統需要50kHz的頻寬,在此情況下能夠達到的最大增益為 50V/V
    9.( ) 某耦合電路中有兩個相互靠近之電感,其中一側之自感量L_1=28mH,另一次側之自感量L_2=7mH,兩電感間之互感量M=7mH。則電路之耦合係數k為 0.5
    10.( ) 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為 無穩態多諧振盪器


    輸出
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 一理想運算放大器接上+15V及-15V電源,若將反相輸入端(一輸入端)接至+6V,非反相輸入端(+輸入端)接地,則輸出電壓為 -15V
    3.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    4.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時,通常輸入 方波 較適用
    5.( ) 有40W輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器,若放大器的電壓增益為40dB,且為額定輸出時,求其輸入電壓為 0.2V
    6.( ) 有一差動放大器,其Vi1=150μV、Vi2=100μV、Ad=1000、CMRR=100,輸出電壓為 51.25mV
    7.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    8.( ) 有關共射極放大器的特性敘述, 電流增益為β,輸出與輸入電壓相位差180? 正確
    9.( ) 有關積分器及微分器的敘述,選項 方波通過積分器的輸出波形為三角波 正確
    10.( ) 某串級放大器輸入電壓為0.01sin(t)V,第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB、5dB,則第三級輸出電壓有效值為 0.707V


    增益
    1.( ) 共射極組態 BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
    2.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    3.( ) 各電路中,功率增益最大者為 共射極(CE)電路
    4.( ) 有一差動放大器,其一端輸入V_i1=100μV,另一端輸入V_i2=50μV,且此放大器之差模增益A_d為100,而共模拒斥比CMRR為10,請問此輸出電壓為 5.75mV
    5.( ) 有一電路之電流增益A_i=49,輸入阻抗為2kΩ,輸出阻抗為18kΩ,則此電路之電壓增益為 441
    6.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    7.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    8.( ) 某放大器增益為40,若加上負回授電路,且回授量是輸出信號的10%,則總增益為 8
    9.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o=100dB,當頻率f=10^4Hz時,其開路增益的大小為40dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為 10^6Hz
    10.( ) 當運算放大器有虛地(Virtual Ground)性質時,其增益A及操作區域為 增益A=∞,線性區


    電晶體
    1.( ) NPN電晶體 元件的工作速度最快
    2.( ) BJT電晶體放大器組態中, 共集極 最適合做為阻抗匹配器
    3.( ) 下列有關電晶體α與β關係 1/α=1+(1/β) β=α/(1-α) α=β/(1+β) 有誤
    4.( ) 在一個NPN電晶體共射極放大器中,通常其β值隨著IC的增加而作 先增加再下降 變化
    5.( ) 有一共射極之電晶體,其偏壓於工作區測得I_C=1.47mA,I_E=1.50mA,則該電晶體的α、β參數分別為 α=0.98、β=49
    6.( ) 串級(Cascade)電晶體組態中,為求得最大電壓增益,通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
    7.( ) 某一電晶體電路的IC=1mA、fT=400MHz,其中Cπ=10.9pF(EB接面電容),試求Cμ(CB接面電容)值為 5pF
    8.( ) 若有一功率電晶體接面溫度T_J=125℃,環境溫度T_A=25℃,電晶體的消耗功率P_D為40W,試求熱阻θ_JA為 2.5℃/W
    9.( ) 假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98,則β參數之變化為 由99變化到49
    10.( ) 電晶體元件的規格資料表中h_FE參數,指的是何種電流增益值為 β


    放大器
    1.( ) C類 放大器不適合用在聲頻放大器作為放大音樂、語言等
    2.( ) 一共射極A類放大器,射極上有電阻,現用一大電容與此射極電阻並聯後接地,問此一大電容之目的為 提高增益
    3.( ) 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述 共射極之功率增益最高共射極為反相放大共集極之輸入阻抗最高 有誤
    4.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時,通常輸入 方波 較適用
    5.( ) 有一放大器僅含兩個極點且無零點,高頻極點f_P2為低頻極點f_P1的100倍,此放大器於f_P2的增益大小為1,請問此放大器的相位邊限為 45度
    6.( ) 有一差動放大器,其一端輸入V_i1=100μV,另一端輸入V_i2=50μV,且此放大器之差模增益A_d為100,而共模拒斥比CMRR為10,請問此輸出電壓為 5.75mV
    7.( ) 有一電晶體放大器在工作區時,其I_B=50μA,I_C=10mA,則β值為 200
    8.( ) 有關理想放大器的敘述,下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
    9.( ) 某一電路對於不同頻率的信號,其延遲時間不同,則此放大器有 相位失真 失真
    10.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o=100dB,當頻率f=10^4Hz時,其開路增益的大小為40dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為 10^6Hz


    二極體
    1.( ) 透納二極體(Tunnel Diode) 二極體其V-I特性曲線中具有「負電阻區」特性
    2.( ) 截波器 電路可僅以二極體與電阻器組成
    3.( ) PN二極體是 非線性元件
    4.( ) 二極體不具 放大 功能
    5.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    6.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    7.( ) 有關二極體特性之敘述,下列 二極體內空乏區電場方向是由N型指向P型二極體擴散電流是由載子濃度不均所形成二極體漂移電流是由電位差所形成 錯誤
    8.( ) 典型的一般矽二極體導通後,其壓降約為 0.6∼0.7V
    9.( ) 某矽二極體之PN接面於25°C時,其逆向飽和電流為5nA,當此PN接面溫度上升至65°C時,其逆向飽和電流為 80nA
    10.( ) 若一齊納二極體(Zener Diode)在25?C時崩潰電壓為15V,溫度係數為0.02%/?C,若崩潰電壓升為15.135V,求當時溫度為 70?C


    輸入
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 一個交流負載輸入電流為i(t)=4cos(10πt+10°)A,輸入電壓為v(t)=120cos(10πt-20°)V,求此負載吸取的視在功率(Apparent power)為 240VA
    3.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
    4.( ) 只有全部輸入信號都是1時,輸出才為1的邏輯閘為 AND
    5.( ) 在一二極體橋式全波整流電路中,若輸入電壓為弦波,則敘述 輸出電壓若經適當濾波,最高可達輸入電壓的峰值VP 正確
    6.( ) 在電晶體h參數中,代表輸入開路時之輸出導納為 h_22
    7.( ) 有一個調諧C類放大器,電源Vcc=20V且最大輸出功率為2W,若推動此放大器的輸入信號頻率為200KHz,導通的時間為每週期1μs,且導通時I_C(sat)=100mA,V_CE(sat)=0.2V,則此放大器的最大效率為 99.8%
    8.( ) 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V_ i1=55μV,V _ i2=45μV,共模拒斥比CMRR(dB)=40dB,差模增益A _d=500,則 輸出電壓V_o=5.25mV 正確
    9.( ) 有關共射極放大器的特性敘述, 電流增益為β,輸出與輸入電壓相位差180? 正確
    10.( ) 某串級放大器輸入電壓為0.01sin(t)V,第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB、5dB,則第三級輸出電壓有效值為 0.707V


    值為
    1.( ) 100V有效值之交流正弦波電壓,經半波整流與濾波後,其輸出電壓值為 141V
    2.( ) RLC串聯共振時,下列 電路之功率因數等於1R值改變時,共振頻率不會改變電路中電流值為最大 錯誤
    3.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為: 1μF
    4.( ) 有一平衡Y-Y系統,其線電壓之有效值為200V,三相電功率為600W,功率因數為0.9滯後,請問各相負載阻抗為 54+j26.2Ω
    5.( ) 有一弦波電壓V(t)=300cos(120πt+30?)V,當t=2.778ms時,電壓值為 0V
    6.( ) 有一電晶體,適當偏壓於作用區,測得I_B=0.05mA,I_E=5mA,則此電晶體的α值為 0.99
    7.( ) 有一電晶體放大器在工作區時,其I_B=50μA,I_C=10mA,則β值為 200
    8.( ) 利用一25mH電感器設計一個截止頻率為160krad/s的高通RL無源濾波器,求R值為 4000Ω
    9.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    10.( ) 某一電晶體電路的IC=1mA、fT=400MHz,其中Cπ=10.9pF(EB接面電容),試求Cμ(CB接面電容)值為 5pF


    射極
    1.( ) 共射極組態 BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
    2.( ) 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓,在正常順向電壓工作情況下約為 0.7V
    3.( ) 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述 輸出訊號與輸入訊號相位相同電壓增益略小於1輸入阻抗甚高 有誤
    4.( ) 在BJT電晶體中,有關Early效應(Early effect)的敘述, 在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減 正確
    5.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    6.( ) 有一電晶體之集極電流為4.9 mA,射極電流為5.0 mA,則此電晶體之β值為 49
    7.( ) 某一射極耦合電路,其輸入阻抗為10kΩ,負載為10Ω,電壓增益為10,則功率增益為 50dB
    8.( ) 若要將小信號電壓及電流都放大,可採用 雙極性接面電晶體的共射極放大電路 放大電路
    9.( ) 射極隨耦器常作阻抗匹配之用,有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述, 高輸入阻抗,低輸出阻抗 正確
    10.( ) 電晶體(BJT)放大電路三組態中, 共射極組態 組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差180°


    偏壓
    1.( ) 決定電晶體的工作點(operating point) 為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的
    2.( ) BJT電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區,在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述, 皆為順向偏壓 正確
    3.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    4.( ) 下列有關PN接面二極體的敘述 矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高二極體加順向偏壓後,空乏區變窄溫度上升時,漏電流上升 有誤
    5.( ) 比較晶體基本偏壓組態,敘述 共射極: 正確
    6.( ) 在未外加偏壓下,下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述,請問 所形成的障壁電位,在空乏區N側的電位比P側的電位高 在空乏區中,P側有負離子、N側有正離子 P、N兩側空乏區的寬度,其所摻雜的雜質濃度愈高,則該側空乏區的寬度愈窄 錯誤
    7.( ) 有一共射極之電晶體,其偏壓於工作區測得I_C=1.47mA,I_E=1.50mA,則該電晶體的α、β參數分別為 α=0.98、β=49
    8.( ) 有關LED之敘述,下列 發出的光為散射光順向偏壓時發光屬於冷性發光 錯誤
    9.( ) 有關二極體的順向偏壓接法, P端接電源的正極,N端接電源的負極 正確
    10.( ) 某一JFET之IDSS=10mA,Vgs(OFF)=-5V,試計算在偏壓點Vgs=-2V的gm值為 2.4mS


    頻率
    1.( ) 一放大器的-3 dB頻率為20 Hz及15 kHz,設其工作於標準測試頻率(1 kHz)時的輸出為20 W,求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為 10 W
    2.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時,電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
    3.( ) 有一RLC串聯電路,連接一個60Hz,100V之電源。電路之R=10Ω,X_L=50Ω,X_C=-0.5Ω,則此電路之諧振頻率為 6Hz
    4.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2.5μs,工作週期為4%,則此脈波之頻率為 16KHz
    5.( ) 有一脈波寬度為100μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為 5kHz
    6.( ) 有一電壓v(t)=Vmsinωt,當其串聯一純電阻後,則其瞬時功率會包含 2ω 頻率
    7.( ) 串聯2只200pF之電容器後,再和16μH電感器並聯形成槽路(Tank),其諧振頻率為 4MHz
    8.( ) 某一電路對於不同頻率的信號,其延遲時間不同,則此放大器有 相位失真 失真
    9.( ) 若一弦波信號f(t)=5cos9425t,將載波C(t)=cos94248t做波幅調變,則發射之調幅波的上旁波帶頻率為 16.5kHz
    10.( ) 若一電源頻率為60Hz,經半波整流後,輸出電壓之漣波頻率為 60Hz


    有一
    1.( ) 一特性均勻的電熱線中有一處折彎,有一處折裂但未斷,則電熱絲中最熱之處為 折裂處
    2.( ) 有一RLC串聯電路,R=560Ω,L=100mH,C=0.1μF,其電流之自然響應特性為 欠阻尼
    3.( ) 有一台抽水機,其速率600公升/秒,將水由地下10公尺抽至高20公尺之水塔上,則抽水機之功率為 177仟瓦
    4.( ) 有一正相序平衡三相電壓源,線電壓V_ab= ∠30?V,經由每相線路阻抗為1+j0.5Ω的傳輸線,傳送電力到單相阻抗值為9+j7.5Ω的平衡Δ接負載,請問a相的線電流I_a為 10∠-36.87?A
    5.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路,R=50Ω,L=50mH,C=80μF。欲使電路出現最大電流振幅,則電源角頻率ω值為 500rad/s
    6.( ) 有一直流電源之電動勢為30V,內阻為2Ω,滿載時所提供之電流為2.5A,則此電源之電壓調整率為 20%
    7.( ) 有一差動放大器,其Vi1=150μV、Vi2=100μV、Ad=1000、CMRR=100,輸出電壓為 51.25mV
    8.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    9.( ) 有一接合面場效應電晶體JFET的汲極飽和電流I_DSS=16mA,夾止電壓V_GS_(_off_)=-4V,請問此JFET為 N通道,I_D=1mA 通道
    10.( ) 有一電阻R=2Ω,將其通過i(t)=4sin(ωt+30?)A之電流時,電阻消耗之功率為 16W


    約為
    1.( ) 一哈特萊震盪器,其震盪線圈L=400μH,若電容可從400pF調至900pF,則震盪頻率範圍約為 265kHz∼397.5kHz
    2.( ) 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓,在正常順向電壓工作情況下約為 0.7V
    3.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V_DC=3.7V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
    4.( ) 有一電源電路之輸出電壓V(t)=10+0.2sin(ωt)伏特,則其漣波因數百分比約為 1.41%
    5.( ) 有一電壓源v(t)=-3+ ,其平均值電壓與有效值電壓比約為 -0.6
    6.( ) 典型的一般矽二極體導通後,其壓降約為 0.6∼0.7V
    7.( ) 矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為1.5×10^10cm^-3,在同樣的溫度下,若受體(acceptor)濃度為1.5×10^15cm^-3,熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^-3
    8.( ) 家用的交流電源110V、60Hz,經半波整流,但未濾波,則此整流後電壓平均值約為 50V


    負載
    1.( ) 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下,它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為 CMOS之輸出電壓可為零,但空乏型負載之NMOS不為零
    2.( ) 一個交流負載輸入電流為i(t)=4cos(10πt+10°)A,輸入電壓為v(t)=120cos(10πt-20°)V,求此負載吸取的視在功率(Apparent power)為 240VA
    3.( ) 下列關於負回授電路之敘述 電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗 迴路增益(Loop Gain)在相位移180?下,增益小於1,電路才會穩定 對於單一極點之開迴路放大器,加入電阻性負載後,電路一定穩定 有誤
    4.( ) 在音響擴大機應用電路中,常用來驅動負載喇叭的電晶體組態電路為 共集極
    5.( ) 有一平衡Y-Y系統,其線電壓之有效值為200V,三相電功率為600W,功率因數為0.9滯後,請問各相負載阻抗為 54+j26.2Ω
    6.( ) 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1+j0.6Ω,發電機的內部相電壓為240V,供電給三相Y形的平衡負載,每相的負載阻抗為39+j28Ω,發電機與負載之間的線路阻抗為0.9+j1.4Ω,求損耗在線路中的總平均功率為 62.208W
    7.( ) 有一負載的功率因數為1.0,請問此負載屬 純電阻性負載 性質負載
    8.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路,負載阻抗Z=100+j100Ω,若要將功率因數修正為0.95,需要並聯 8.9μF 電容器
    9.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    10.( ) 承第41題,此負載之功率因數(PF)為 0.73


    如圖所示


    請問
    1.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    2.( ) 在未外加偏壓下,下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述,請問 所形成的障壁電位,在空乏區N側的電位比P側的電位高 在空乏區中,P側有負離子、N側有正離子 P、N兩側空乏區的寬度,其所摻雜的雜質濃度愈高,則該側空乏區的寬度愈窄 錯誤
    3.( ) 有一10安培之電流,流經100匝之圓線圈,其半徑為50公分,且線圈之厚度要遠小於半徑,請問圓心處之磁場強度為 750安匝/公尺
    4.( ) 有一N通道JFET,其I_DSS=9mA,V_P=-3V,請問當直流偏壓V_GS=-1V時,其汲極電流I_D為 4mA
    5.( ) 有一平衡Y-Y系統,其線電壓之有效值為200V,三相電功率為600W,功率因數為0.9滯後,請問各相負載阻抗為 54+j26.2Ω
    6.( ) 有一正相序平衡三相電壓源,線電壓V_ab= ∠30?V,經由每相線路阻抗為1+j0.5Ω的傳輸線,傳送電力到單相阻抗值為9+j7.5Ω的平衡Δ接負載,請問a相的線電流I_a為 10∠-36.87?A
    7.( ) 有一放大器僅含兩個極點且無零點,高頻極點f_P2為低頻極點f_P1的100倍,此放大器於f_P2的增益大小為1,請問此放大器的相位邊限為 45度
    8.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 外質半導體,且載子濃度為何
    9.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成何種外質半導體,且載子濃度為 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
    10.( ) 有一負載的功率因數為1.0,請問此負載屬 純電阻性負載 性質負載


    信號
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
    3.( ) 只有全部輸入信號都是1時,輸出才為1的邏輯閘為 AND
    4.( ) 有一正弦波交流電壓信號V(t)=8sin 314tV,則 V_m=8V V_rms=5.66V 週期T=20ms 錯誤
    5.( ) 有一交流電壓信號V(t)=100sin 377tV,經半波整流電路後,則一週期內輸出電壓平均值應為 31.8V
    6.( ) 有一差動放大器,其共模具斥比(CMRR)為40dB、差模增益A_d=100,若輸入共模信號V_c=10V、差模信號V_d=0.1V,則此差動放大器輸出為 20V
    7.( ) 某一電路對於不同頻率的信號,其延遲時間不同,則此放大器有 相位失真 失真
    8.( ) 若一弦波信號f(t)=5cos9425t,將載波C(t)=cos94248t做波幅調變,則發射之調幅波的上旁波帶頻率為 16.5kHz
    9.( ) 若將1KHz之標準正弦波加給一示波器,在CRT上一個完整的週期佔四個方格。若加入待測正弦波信號,一個完整的週期佔五格,則此待測正弦波信號之頻率為 800Hz
    10.( ) 設計一B類放大器,輸入為正弦波信號,提供10W平均功率給10Ω負載,則電源±V_CC應選用 ±20V 較佳


    放大
    1.( ) C類 放大器不適合用在聲頻放大器作為放大音樂、語言等
    2.( ) 共基極放大電路 電路不具備電流放大的功能
    3.( ) 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在 作用區(active region)內 區域內,可獲得較佳之放大倍率
    4.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
    5.( ) 在串級放大系統中, 變壓器耦合 連接方式最易達成阻抗匹配
    6.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數g_m=1.5m?,r_d=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R_S,而汲極電阻R_D=10kΩ,請問該電路之電壓增益A_V為 -7.5
    7.( ) 有關達靈頓(Darlington)放大電路的敘述, 輸入阻抗高 正確
    8.( ) 若要將小信號電壓及電流都放大,可採用 雙極性接面電晶體的共射極放大電路 放大電路
    9.( ) 欲使BJT電晶體能具線性放大的功用,則B-E接面及B-C接面應分別作 B-E接面順向偏壓,B-C接面逆向偏壓 偏壓
    10.( ) 電晶體(BJT)放大電路三組態中, 共射極組態 組態的輸入電壓信號與輸出電壓信號相位相差180°


    所示


    理想
    1.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    2.( ) 一理想運算放大器接上+15V及-15V電源,若將反相輸入端(一輸入端)接至+6V,非反相輸入端(+輸入端)接地,則輸出電壓為 -15V
    3.( ) 下列有關理想運算放大器的敘述, 輸入阻抗無窮大輸出阻抗為零可做加減法器 錯誤
    4.( ) 由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中, 比較器 電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路
    5.( ) 由理想運算放大器所組成之非反相(non-inverting)組態放大器, 輸出阻抗為0Ω輸入阻抗為無限大電壓增益由電阻比值決定 錯誤
    6.( ) 有關理想放大器的敘述,下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
    7.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    8.( ) 有關理想運算放大器之敘述,下列 輸入阻抗(R_i)等於無窮大輸出阻抗(R_o)等於零開迴路增益(A_vo)等於無窮大 錯誤
    9.( ) 假設V(t)=V sin (ωt)的均方根值為v_1,當V(t)通過一個理想全波整流器後,其輸出電壓之均方根值為v_2,則v_1/v_2為 1
    10.( ) 轉導放大器(Transconductance Amplifier)的理想特性為 R_i=∞,R_o=∞


    假設
    1.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V
    2.( ) 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz,假設電阻R=10kΩ,求電感L及24kHz時的︱H(jω)︱為 0.40H,0.164
    3.( ) 假設V(t)=V sin (ωt)的均方根值為v_1,當V(t)通過一個理想全波整流器後,其輸出電壓之均方根值為v_2,則v_1/v_2為 1
    4.( ) 假設一JFET之I_DSS=6mA、V_P=-4V,若工作於V_GS=-2V,試求互導g_m為 1.5mS
    5.( ) 假設一JFET共源極放大器,互導g_m=2mS、汲極電阻R_D=15kΩ、負載電阻R_L=5kΩ、源極接地,請問電壓放大倍率為 -7.5
    6.( ) 假設一功率電晶體之接面最高允許溫度T_J(MAX)=175℃,於外殼溫度T_C=25℃下,若熱阻θ_JC=1℃/W,則其最高散逸功率P_D(MAX)為 150W
    7.( ) 假設一電晶體β=50、I_C=5mA、V_T=25mV,則基極對地交流電阻r_π為 250Ω
    8.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零,峰值(VP)相同之波型,以下 方波 具有最大之均方根值(Vrms)
    9.( ) 假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98,則β參數之變化為 由99變化到49


    如下圖


    電阻
    1.( ) 一共射極A類放大器,射極上有電阻,現用一大電容與此射極電阻並聯後接地,問此一大電容之目的為 提高增益
    2.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時,電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
    3.( ) 下列關於開關電容濾波器(The Switched-Capacitor Filter)的敘述 需使用不重疊(non-overlapping)的脈波來切換開關 在積體電路中可以掌握更精確的時間常數 利用快速切換的電容所等效的電阻,切換頻率越高,電阻越小 有誤
    4.( ) 有一放大器應用電路,設放大器U1為理想放大器,且飽和電壓(Saturation voltage)為+10V與-10V,亦即輸出電壓侷限在-10V到+10V之間。設電阻R1、R2均相等,今輸入電壓VI為振幅VP=1V之正弦波,試研判輸出電壓VO之反應 VO將落入一定值不再變動
    5.( ) 有一個一階運算放大器,其直流增益為10^6,且有一極點於10rad/s,零點為無窮大,使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為10,求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
    6.( ) 有一單埠電路,其諾頓等效電流源為4安培,戴維寧等效電壓源為16伏特,請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為 同為4Ω
    7.( ) 有一電阻R=2Ω,將其通過i(t)=4sin(ωt+30?)A之電流時,電阻消耗之功率為 16W
    8.( ) 有一電壓源v(t)=2sint+4sin3t V,加在2Ω之電阻兩端,則電阻消耗之功率為 5W
    9.( ) 流過電阻R=10Ω之電流為i(t)=2+3sinωt+2sin(3ωt),若ω=377弳/秒,則平均功率為 105W
    10.( ) 晶體共射極放大器若加入射極電阻,但不加射極旁路電容,則敘述 電壓增益降低 正確


    輸入阻抗
    1.( ) 電流並聯負回授 負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
    2.( ) BJT或FET單一組態放大器各有其特點,若欲得到高輸入阻抗、高增益、高頻響應佳之疊加放大器(Cascade Amplifier),須使用 共源極-共閘極 疊加放大器組合
    3.( ) 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述 共射極之功率增益最高共射極為反相放大共集極之輸入阻抗最高 有誤
    4.( ) 下列關於負回授電路之敘述 電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗 迴路增益(Loop Gain)在相位移180?下,增益小於1,電路才會穩定 對於單一極點之開迴路放大器,加入電阻性負載後,電路一定穩定 有誤
    5.( ) 有關BJT與FET的比較,敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確
    6.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    7.( ) 有關達寧頓電路特性的敘述,下列 高輸入阻抗低輸出阻抗高電流增益 錯誤
    8.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    9.( ) 若以元件來設計隨耦器電路,試問 MOSFET 的輸入阻抗最高
    10.( ) 射極隨耦器常作阻抗匹配之用,有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述, 高輸入阻抗,低輸出阻抗 正確


    電容
    1.( ) 電晶體內部電容 對電晶體放大電路高頻響應影響較大
    2.( ) 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500Ω、2.5H、4nF,其電壓響應應屬於 過阻尼 性質
    3.( ) 一共射極A類放大器,射極上有電阻,現用一大電容與此射極電阻並聯後接地,問此一大電容之目的為 提高增益
    4.( ) 一哈特萊震盪器,其震盪線圈L=400μH,若電容可從400pF調至900pF,則震盪頻率範圍約為 265kHz∼397.5kHz
    5.( ) 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)=10sin200t V,則電容阻抗值為 -j200Ω
    6.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為: 1μF
    7.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為 1μF
    8.( ) 在741運算放大器中有一補償電容跨接於第二級的電壓放大器, 效率 不會受該補償電容之影響
    9.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    10.( ) 有一RLC並聯電路,電感值與電容值分別為4H與0.25μF,試求臨界阻尼時之電阻值為 2000Ω


    回授
    1.( ) 電流並聯負回授 負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
    2.( ) 一個放大器其增益為40∠-35°,若要使此電路振盪,其回授增益為 0.025∠35°
    3.( ) 下列關於負回授電路之敘述 電壓取樣、電流回授可降低輸入阻抗 迴路增益(Loop Gain)在相位移180?下,增益小於1,電路才會穩定 對於單一極點之開迴路放大器,加入電阻性負載後,電路一定穩定 有誤
    4.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器,是屬於 電壓串聯 負回授
    5.( ) 回授放大器的穩定條件為 Loop gain在相位差為180°時,其絕對值小於1
    6.( ) 在四種回授架構中, 並-並(shunt-shunt)架構 的輸入信號為電流、輸出信號為電壓
    7.( ) 有關放大器加上負回授之後的效果, 頻寬增加非線性失真減少增益減少 錯誤
    8.( ) 放大器加入負回授(Negative feedback)的主要目的是 增加穩定性
    9.( ) 某一放大器之電壓增益為100,頻寬為20kHz,若利用負回授將頻寬增加為50kHz,則此放大器之電壓增益變為 40
    10.( ) 某放大器增益為40,若加上負回授電路,且回授量是輸出信號的10%,則總增益為 8


    則其
    1.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    2.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為: 1μF
    3.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為 1μF
    4.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V_DC=3.7V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
    5.( ) 已知一放大電路電壓增益A_V為100,電流增益A_i為10,則其功率增益A_P (dB)為 30dB
    6.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    7.( ) 有一電源電路之輸出電壓V(t)=10+0.2sin(ωt)伏特,則其漣波因數百分比約為 1.41%
    8.( ) 有一電壓v(t)=Vmsinωt,當其串聯一純電阻後,則其瞬時功率會包含 2ω 頻率
    9.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為: 11.3%
    10.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為 11.3%


    功率
    1.( ) 1mA電流流經1KΩ電阻時,所消耗的功率為 1mW
    2.( ) 已知一放大電路電壓增益A_V為100,電流增益A_i為10,則其功率增益A_P (dB)為 30dB
    3.( ) 功率電晶體的集極與外殼通常接在一起,其主要目的是 散熱考慮
    4.( ) 由240Ω電阻器並聯5/18μF電容器的負載,接在弦波電壓源v_g(t)=480cos(2500t)V的兩端,試求無效功率為 -80VAR
    5.( ) 各電路中,功率增益最大者為 共射極(CE)電路
    6.( ) 有一平衡Y-Y系統,其線電壓之有效值為200V,三相電功率為600W,功率因數為0.9滯後,請問各相負載阻抗為 54+j26.2Ω
    7.( ) 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1+j0.6Ω,發電機的內部相電壓為240V,供電給三相Y形的平衡負載,每相的負載阻抗為39+j28Ω,發電機與負載之間的線路阻抗為0.9+j1.4Ω,求損耗在線路中的總平均功率為 62.208W
    8.( ) 有一放大電路的功率增益為20dBm,則輸出功率為 100mW
    9.( ) 有一麥克風,於300Ω之輸出阻抗下,將0.3V之音頻訊號輸入至放大器,而放大器又將30W之電功率輸入至16Ω之揚聲器上,則此放大器之分貝功率增益為 50dB
    10.( ) 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A,則該放大器輸出最大交流功率為 5W


    接面
    1.( ) 共基極電路 雙極性接面電晶體電路組態,適合於高頻放大器應用
    2.( ) PN二極體在接面附近所形成接觸電勢的極性是 P端為負,N端為正
    3.( ) 下列有關PN接面二極體的敘述 矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高二極體加順向偏壓後,空乏區變窄溫度上升時,漏電流上升 有誤
    4.( ) 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 組態
    5.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    6.( ) 某一電晶體電路的IC=1mA、fT=400MHz,其中Cπ=10.9pF(EB接面電容),試求Cμ(CB接面電容)值為 5pF
    7.( ) 若npn電晶體工作於截止區時,接面偏壓敘述 基-射接面逆向偏壓,基-集接面逆向偏壓 正確
    8.( ) 若要將小信號電壓及電流都放大,可採用 雙極性接面電晶體的共射極放大電路 放大電路
    9.( ) 雙極性接面電晶體(BJT)放大器的組態中 CC組態 的電壓增益較小
    10.( ) 關於場效電晶體, 傳導電流僅由多數載子負責 傳導電流之大小由靜電場控制 輸入阻抗一般較雙極性接面晶體BJT還高 錯誤


    運算放大器
    1.( ) 一理想運算放大器接上+15V及-15V電源,若將反相輸入端(一輸入端)接至+6V,非反相輸入端(+輸入端)接地,則輸出電壓為 -15V
    2.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    3.( ) 下列有關理想運算放大器的敘述, 輸入阻抗無窮大輸出阻抗為零可做加減法器 錯誤
    4.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器,是屬於 電壓串聯 負回授
    5.( ) 由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中, 比較器 電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路
    6.( ) 由理想運算放大器所組成之非反相(non-inverting)組態放大器, 輸出阻抗為0Ω輸入阻抗為無限大電壓增益由電阻比值決定 錯誤
    7.( ) 有一個一階運算放大器,其直流增益為10^6,且有一極點於10rad/s,零點為無窮大,使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為10,求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
    8.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    9.( ) 有關理想運算放大器之敘述,下列 輸入阻抗(R_i)等於無窮大輸出阻抗(R_o)等於零開迴路增益(A_vo)等於無窮大 錯誤
    10.( ) 有關運算放大器轉換速度(slew rate, SR)的敘述,下列 轉換速度一般皆以每微秒若干伏(V/μs)表示轉換速度所代表的就是運算放大器對輸入信號響應的速度上限若運算放大器可用時間常數為τ的一階低通濾波器表示,且小信號步階輸入的振幅為V,V/τ不大於SR,則輸出電壓將以V/τ的速度上升 錯誤


    波形
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 輸入阻抗非無限大 不會造成電壓放大器之輸出波形扭曲(distortion)
    3.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
    4.( ) 一交流電流i(t)=10sin 785t(mA)流過1kΩ電阻,則電流波形的頻率為 125Hz
    5.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    6.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時,通常輸入 方波 較適用
    7.( ) 在正常的運用情況下,史密特觸發器(Schmitt trigger)的輸出波形為 脈波
    8.( ) 有兩個電流方程式分別為i1(t)=10sin(120πt)A,i2(t)=5sin(120πt+30°)A,則此兩波形時間差為 1.39ms
    9.( ) 有關非正弦波振盪器之敘述 史密特觸發器可用來作為波形整形電路 為真
    10.( ) 有關微分器、積分器之敘述, 方波通過積分器後之輸出波形為三角波 正確


    飽和
    1.( ) BJT電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區,在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述, 皆為順向偏壓 正確
    2.( ) MOSFET用於放大器時,工作區域為 飽和區
    3.( ) 有一放大器應用電路,設放大器U1為理想放大器,且飽和電壓(Saturation voltage)為+10V與-10V,亦即輸出電壓侷限在-10V到+10V之間。設電阻R1、R2均相等,今輸入電壓VI為振幅VP=1V之正弦波,試研判輸出電壓VO之反應 VO將落入一定值不再變動
    4.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V
    5.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V
    6.( ) 使NPN BJT電晶體工作在動作(Active)、截止(Cutoff)、飽和(Saturation)區, 截止區時BE接面反向偏壓飽和區時BE接面順向偏壓飽和區時CB接面順向偏壓 錯誤
    7.( ) 某NPN電晶體的β=100,集極電流為0.8A,基極電流為12mA,則電晶體處於 飽和模式 區域模式
    8.( ) 若有一N通道JFET,若V_GS=-1V,而V_GS(OFF)=-4V,則當V_DS=2V及V_DS=5V時,此FET分別工作於 歐姆區,飽和區 飽和
    9.( ) 當NPN電晶體操作於飽和區時,敘述 V_BE>0,V_BC>0,V_CE>0 正確
    10.( ) 當運算放大器作比較器時的敘述 操作在飽和區 正確


    逆向
    1.( ) 發光二極體 二極體,其正常使用非在逆向偏壓的情形下
    2.( ) 一矽質二極體於溫度25℃時之逆向飽和電流為5nA,當溫度上升至55℃時,其逆向飽和電流將變為 40nA
    3.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    4.( ) 二極體接逆向偏壓時,其逆向飽和電流I_s之敘述, 與溫度成正比 正確
    5.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    6.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    7.( ) 有關逆向偏壓接面電容之敘述, 隨逆向偏壓降低而增加 正確
    8.( ) 矽二極體在溫度25°C時之逆向飽和電流為10nA,若溫度上升至55°C時,逆向飽和電流變為 80nA
    9.( ) 某矽二極體之PN接面於25°C時,其逆向飽和電流為5nA,當此PN接面溫度上升至65°C時,其逆向飽和電流為 80nA
    10.( ) 某矽質二極體,在溫度25℃時的逆向飽和電流為5nA,若溫度上升至55℃時,則逆向飽和電流變為 40nA


    組態
    1.( ) 共射極組態 BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
    2.( ) 共基極電路 雙極性接面電晶體電路組態,適合於高頻放大器應用
    3.( ) BJT電晶體放大器組態中, 共集極 最適合做為阻抗匹配器
    4.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
    5.( ) 比較晶體基本偏壓組態,敘述 共射極: 正確
    6.( ) 在共射極組態下,若電晶體的β=50、I_B=20uA、I_CBO=5uA,在考慮漏電流的情況下,求I_C電流為 1255uA
    7.( ) 在音響擴大機應用電路中,常用來驅動負載喇叭的電晶體組態電路為 共集極
    8.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    9.( ) 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 組態
    10.( ) 有關電晶體組態的敘述,下列 共基極(CB)組態的電流增益小於1共集極(CC)組態的電壓增益小於1共集極(CC)組態的輸出阻抗最低 錯誤


    阻抗
    1.( ) 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)=10sin200t V,則電容阻抗值為 -j200Ω
    2.( ) 三相Y型平衡電路,若每相阻抗為(6+j8)Ω,線電壓E_?=220V,試求相位角θ為 53.1度
    3.( ) 下列有關理想的R、L、C三元件串聯電路之敘述 發生諧振現象時,電路的阻抗值最小 發生諧振現象之頻率與電阻R無關 不一定為低通濾波器 有誤
    4.( ) 有一平衡Y-Y系統,其線電壓之有效值為200V,三相電功率為600W,功率因數為0.9滯後,請問各相負載阻抗為 54+j26.2Ω
    5.( ) 有一平衡三相、Y形連接發電機的每相阻抗為0.1+j0.6Ω,發電機的內部相電壓為240V,供電給三相Y形的平衡負載,每相的負載阻抗為39+j28Ω,發電機與負載之間的線路阻抗為0.9+j1.4Ω,求損耗在線路中的總平均功率為 62.208W
    6.( ) 有一正相序平衡三相電壓源,線電壓V_ab= ∠30?V,經由每相線路阻抗為1+j0.5Ω的傳輸線,傳送電力到單相阻抗值為9+j7.5Ω的平衡Δ接負載,請問a相的線電流I_a為 10∠-36.87?A
    7.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路,負載阻抗Z=100+j100Ω,若要將功率因數修正為0.95,需要並聯 8.9μF 電容器
    8.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    9.( ) 承第47題,戴維寧等效電路之串聯阻抗為 10kΩ
    10.( ) 射極隨耦器之阻抗特性是 高輸入阻抗,低輸出阻抗


    溫度
    1.( ) 一矽質二極體於溫度25℃時之逆向飽和電流為5nA,當溫度上升至55℃時,其逆向飽和電流將變為 40nA
    2.( ) 二極體接逆向偏壓時,其逆向飽和電流I_s之敘述, 與溫度成正比 正確
    3.( ) 下列有關PN接面二極體的敘述 矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高二極體加順向偏壓後,空乏區變窄溫度上升時,漏電流上升 有誤
    4.( ) 有一矽二極體,在20°C時的逆向飽和電流為3nA,當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為 48nA
    5.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    6.( ) 矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為1.5×10^10cm^-3,在同樣的溫度下,若受體(acceptor)濃度為1.5×10^15cm^-3,熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^-3
    7.( ) 矽二極體在溫度25°C時之逆向飽和電流為10nA,若溫度上升至55°C時,逆向飽和電流變為 80nA
    8.( ) 某一個稽納二極體在25℃時崩潰電壓為10V,其溫度係數為0.05%/℃,當溫度為61℃時,此稽納二極體之崩潰電壓為 10.18V
    9.( ) 某矽質二極體,在溫度25℃時的逆向飽和電流為5nA,若溫度上升至55℃時,則逆向飽和電流變為 40nA
    10.( ) 某矽質二極體在溫度20℃時逆向飽和電流為5nA,當溫度為30℃時,此二極體逆向飽和電流為 10nA


    工作
    1.( ) NPN電晶體 元件的工作速度最快
    2.( ) BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著V_CE值增加而產生 增加 變化
    3.( ) NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合,其餘99.875%被集極收集,則此電晶體之β值為 799
    4.( ) 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為 40%
    5.( ) 一放大器的-3 dB頻率為20 Hz及15 kHz,設其工作於標準測試頻率(1 kHz)時的輸出為20 W,求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為 10 W
    6.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體(LED),在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓,而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
    7.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2.5μs,工作週期為4%,則此脈波之頻率為 16KHz
    8.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2μs,工作週期為40%,則此脈波頻率為 200kHz
    9.( ) 有一脈波寬度為100μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為 5kHz
    10.( ) 有關敘述, 蕭基(Schottky)二極體的工作速度較一般二極體快捷 正確


    元件
    1.( ) BJT 元件有可能會產生熱跑脫(Thermal Runaway)現象
    2.( ) NPN電晶體 元件的工作速度最快
    3.( ) 電晶體 是主動元件
    4.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    5.( ) 元件中 發光二極體 不適合當作感測器
    6.( ) 由CMOS FET組成傳輸閘(Transmission Gate)時,組成元件為 NMOS+PMOS
    7.( ) 在純矽中加入少量五價元素,會形成 N型半導體 元件
    8.( ) 在積體電路設計中,盡量避免使用 電感 元件
    9.( ) 有一元件之電壓及電流分別為v(t)=3cos(3t+20?)V,i(t)=-2sin(3t+30?)A,則電壓和電流之相位關係為 電流領先電壓100?
    10.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V


    振盪器
    1.( ) 考畢子振盪器 為正弦波振盪器
    2.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
    3.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
    4.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    5.( ) 有關非正弦波振盪器之敘述 史密特觸發器可用來作為波形整形電路 為真
    6.( ) 有關振盪器的敘述,下列 石英晶體振盪器的輸出頻率最穩定 RC相移振盪器至少需3級RC電路來做相移 韋恩電橋振盪器輸出是低頻弦波 錯誤
    7.( ) 振盪器, 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
    8.( ) 振盪器 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
    9.( ) 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為 無穩態多諧振盪器
    10.( ) 欲起動一實用的弦波振盪器,則其環路增益|βA|必須合於 略大於1 條件


    增加
    1.( ) 在一個NPN電晶體共射極放大器中,通常其β值隨著IC的增加而作 先增加再下降 變化
    2.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    3.( ) 有關多級串接放大器電路之敘述,下列 系統之總增益增加系統穩定度變差系統之總相位移增加 錯誤
    4.( ) 有關放大器加上負回授之後的效果, 頻寬增加非線性失真減少增益減少 錯誤
    5.( ) 有關逆向偏壓接面電容之敘述, 隨逆向偏壓降低而增加 正確
    6.( ) 放大器加入負回授(Negative feedback)的主要目的是 增加穩定性
    7.( ) 對BJT電晶體信號放大採自偏電壓(self-biasing)之設計及增加Re電阻,敘述 增加熱穩定度 為正確
    8.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 α值隨著|V_CB|的增加而變大 正確
    9.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 少數載體的濃度梯度Pn會在基極內增加 正確
    10.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 以上皆是 正確


    耦合
    1.( ) 一般直流放大器(DC Amplifier)其交連方式為 採直接耦合
    2.( ) 在RC耦合電路中,C值必須選擇非常大,其原因是 防止低頻衰減
    3.( ) 在一RC耦合電路中,C須取大值,其原因為 防止低頻衰減
    4.( ) 在串級放大系統中, 變壓器耦合 連接方式最易達成阻抗匹配
    5.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    6.( ) 多級放大器耦合類別中, 直接耦合 耦何具有良好的低頻響應
    7.( ) 多級放大器耦合類別中,低頻響應最佳的為 直接耦合
    8.( ) 某一射極耦合電路,其輸入阻抗為10kΩ,負載為10Ω,電壓增益為10,則功率增益為 50dB
    9.( ) 某耦合電路中有兩個相互靠近之電感,其中一側之自感量L_1=28mH,另一次側之自感量L_2=7mH,兩電感間之互感量M=7mH。則電路之耦合係數k為 0.5
    10.( ) 對直流耦合放大器而言,敘述 低頻響應佳,工作點較不穩定 為真


    輸出阻抗
    1.( ) 電流並聯負回授 負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
    2.( ) BJT放大器中, 共集極放大器 輸出阻抗最低
    3.( ) 一放大器輸出阻抗為5kΩ,欲使8Ω的揚聲器能與放大器匹配,則須加變壓器匝數比為 25
    4.( ) 下列有關理想運算放大器的敘述, 輸入阻抗無窮大輸出阻抗為零可做加減法器 錯誤
    5.( ) 由理想運算放大器所組成之非反相(non-inverting)組態放大器, 輸出阻抗為0Ω輸入阻抗為無限大電壓增益由電阻比值決定 錯誤
    6.( ) 有一電路之電流增益A_i=49,輸入阻抗為2kΩ,輸出阻抗為18kΩ,則此電路之電壓增益為 441
    7.( ) 有關理想放大器的敘述,下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
    8.( ) 有關理想運算放大器之敘述,下列 輸入阻抗(R_i)等於無窮大輸出阻抗(R_o)等於零開迴路增益(A_vo)等於無窮大 錯誤
    9.( ) 有關達寧頓電路特性的敘述,下列 高輸入阻抗低輸出阻抗高電流增益 錯誤
    10.( ) 使一個npn型電晶體操作在v_BE=670mV,I_C=2mA,其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^-^5?,當電晶體操作在I_C=10mA時,其輸出阻抗值為 10kΩ


    產生
    1.( ) BJT 元件有可能會產生熱跑脫(Thermal Runaway)現象
    2.( ) 增強型MOSFET FET在不加閘極電壓時,沒有通道產生
    3.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
    4.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
    5.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    6.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
    7.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    8.( ) 有一電熱器電阻為10Ω,通過5A電流,每秒產生之熱量為 60
    9.( ) 使用指針式三用電錶,轉到低電阻檔(如x100),用紅棒接觸電晶體任一腳,再以黑棒接觸其他兩腳,此時電錶指針都會產生大偏移,則此紅棒接觸之腳為 基極端
    10.( ) 能在不需外加任何信號即可產生一連串脈波輸出之振盪器為 無穩態多諧振盪器


    使用
    1.( ) BJT或FET單一組態放大器各有其特點,若欲得到高輸入阻抗、高增益、高頻響應佳之疊加放大器(Cascade Amplifier),須使用 共源極-共閘極 疊加放大器組合
    2.( ) LED所發出光的顏色,與 使用的材料 有關
    3.( ) 一放大器之低頻截止點為100Hz,若將此相同之放大器兩組串接後使用,則串接後放大器的低頻截止點約為 156Hz
    4.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    5.( ) 目前超大型積體電路(VLSI Circuit)所使用的電晶體大多數為 CMOSFET 電晶體
    6.( ) 在積體電路設計中,盡量避免使用 電感 元件
    7.( ) 有一個一階運算放大器,其直流增益為10^6,且有一極點於10rad/s,零點為無窮大,使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為10,求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
    8.( ) 有兩放大器之頻率響應分別為10∼10KHz與100∼20KHz,若將兩放大器串接後使用,則串接後放大器的頻率響應範圍為 100∼10KHz
    9.( ) 串級(Cascade)電晶體組態中,為求得最大電壓增益,通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
    10.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為: 11.3%


    最大
    1.( ) RLC串聯共振時,下列 電路之功率因數等於1R值改變時,共振頻率不會改變電路中電流值為最大 錯誤
    2.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    3.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體(LED),在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓,而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
    4.( ) 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 組態
    5.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路,R=50Ω,L=50mH,C=80μF。欲使電路出現最大電流振幅,則電源角頻率ω值為 500rad/s
    6.( ) 有一個調諧C類放大器,電源Vcc=20V且最大輸出功率為2W,若推動此放大器的輸入信號頻率為200KHz,導通的時間為每週期1μs,且導通時I_C(sat)=100mA,V_CE(sat)=0.2V,則此放大器的最大效率為 99.8%
    7.( ) 串級(Cascade)電晶體組態中,為求得最大電壓增益,通常使用 共射集 放大器組態作為第二級放大器
    8.( ) 非反向運算放大器電路具有增益40dB,其3dB頻率為25kHz,將其應用在某特殊系統中,若此系統需要50kHz的頻寬,在此情況下能夠達到的最大增益為 50V/V
    9.( ) 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A,則該放大器輸出最大交流功率為 5W
    10.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零,峰值(VP)相同之波型,以下 方波 具有最大之均方根值(Vrms)


    崩潰
    1.( ) 在BJT電路中, 穿透崩潰(Punch-through Breakdown)現象發生 是由爾利效應(Early Effect)所產生
    2.( ) 在絕對零度(0°K)時,於本質半導體之兩端加一電壓,若本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內狀態為 沒有電子流也沒有電洞流
    3.( ) 某一個稽納二極體在25℃時崩潰電壓為10V,其溫度係數為0.05%/℃,當溫度為61℃時,此稽納二極體之崩潰電壓為 10.18V
    4.( ) 若一齊納二極體(Zener Diode)在25?C時崩潰電壓為15V,溫度係數為0.02%/?C,若崩潰電壓升為15.135V,求當時溫度為 70?C
    5.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 α值隨著|V_CB|的增加而變大 正確
    6.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 少數載體的濃度梯度Pn會在基極內增加 正確
    7.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 以上皆是 正確
    8.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 若有效的基極寬度W&apos _B降為零則導致電晶體中的電壓崩潰 正確


    一個
    1.( ) CMOS傳輸(Transmission)閘構造為 一個NMOS和一個PMOS並聯
    2.( ) 一個1.5V乾電池接上小燈泡後有0.1A流過,若兩個 1.5V乾電池並聯後接上小燈泡,則小燈泡電流為 0.1A
    3.( ) 一個25μF之電容器兩端加上電壓V(t)=10sin200t V,則電容阻抗值為 -j200Ω
    4.( ) 一個3又1/2位的數位型電壓錶,當解析度為1mV,滿刻度為 1.999
    5.( ) 一個P型半導體帶有的靜電荷為 電中性
    6.( ) 一個交流負載輸入電流為i(t)=4cos(10πt+10°)A,輸入電壓為v(t)=120cos(10πt-20°)V,求此負載吸取的視在功率(Apparent power)為 240VA
    7.( ) 一個放大器其增益為40∠-35°,若要使此電路振盪,其回授增益為 0.025∠35°
    8.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    9.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    10.( ) 有一RLC串聯電路,連接一個60Hz,100V之電源。電路之R=10Ω,X_L=50Ω,X_C=-0.5Ω,則此電路之諧振頻率為 6Hz


    順向
    1.( ) BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著V_CE值增加而產生 增加 變化
    2.( ) BJT電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區,在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述, 皆為順向偏壓 正確
    3.( ) 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓,在正常順向電壓工作情況下約為 0.7V
    4.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    5.( ) 下列有關PN接面二極體的敘述 矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高二極體加順向偏壓後,空乏區變窄溫度上升時,漏電流上升 有誤
    6.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    7.( ) 由p-n接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體(LED),在操作上最大之差異為 太陽電池工作在較小的順向偏壓,而LED通常需要較大的順向偏壓和順偏電流
    8.( ) 有關LED之敘述,下列 發出的光為散射光順向偏壓時發光屬於冷性發光 錯誤
    9.( ) 有關pn接面(junction)二極體之敘述,下列 順向偏壓時,只要增加一些電壓,電流就會增加甚多逆向偏壓時,電流幾乎為零在相同電流下,當溫度上升時順向導通電壓下降 錯誤
    10.( ) 有關二極體的敘述, 可利用其順向電壓進行穩壓 正確


    電源
    1.( ) 一直流電源其無載電壓為50V,內電阻為2Ω,滿載提供電流為5A,則此電源之電壓調整率為 25%
    2.( ) 由DC電源變換成AC電源,最常用的裝置為 變流器
    3.( ) 交換式電源穩壓電路,一般是以 脈寬調變 技術來控制功率半導體的導通時間
    4.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    5.( ) 有一弦波電壓源連接RLC串聯電路,R=50Ω,L=50mH,C=80μF。欲使電路出現最大電流振幅,則電源角頻率ω值為 500rad/s
    6.( ) 有一直流電源之電動勢為30V,內阻為2Ω,滿載時所提供之電流為2.5A,則此電源之電壓調整率為 20%
    7.( ) 有一個調諧C類放大器,電源Vcc=20V且最大輸出功率為2W,若推動此放大器的輸入信號頻率為200KHz,導通的時間為每週期1μs,且導通時I_C(sat)=100mA,V_CE(sat)=0.2V,則此放大器的最大效率為 99.8%
    8.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路,負載阻抗Z=100+j100Ω,若要將功率因數修正為0.95,需要並聯 8.9μF 電容器
    9.( ) 若一電源頻率為50Hz,經半波整流後,輸出電壓漣波頻率為 50Hz
    10.( ) 若一電源頻率為60Hz,經半波整流後,輸出電壓之漣波頻率為 60Hz


    半導體
    1.( ) N型半導體的少數載子為電洞 本質半導體中所加入的五價元素稱為施體 在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體 錯誤
    2.( ) 在絕對零度(0°K)時,於本質半導體之兩端加一電壓,若本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內狀態為 沒有電子流也沒有電洞流
    3.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 外質半導體,且載子濃度為何
    4.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成何種外質半導體,且載子濃度為 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
    5.( ) 矽半導體的材料能隙(Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作 能隙與阻抗值均變小 變化
    6.( ) 將本質半導體摻雜微量砷元素後,其半導體材料之類型及電性為 N型半導體、電中性
    7.( ) 產生擴散電流之原因為 半導體內載子濃度不同
    8.( ) 霍爾效應(Hall effect)使用在半導體測試中,主要用來決定 半導體型式(n或p)
    9.( ) 霍爾效應(Hall effect)最主要是用於 決定半導體為P型或N型


    應為
    1.( ) 三級串級放大器,若每一級截止頻率都相同,即f_L=300Hz,f_H=50kHz,則該三級串級放大器之頻寬B應為 24.9kHz
    2.( ) 有一交流電壓信號V(t)=100sin 377tV,經半波整流電路後,則一週期內輸出電壓平均值應為 31.8V
    3.( ) 某電晶體之α值為0.98,則其β值應為 49
    4.( ) 若一npn的BJT在主動區操作,其α=0.98,則其β應為 49
    5.( ) 若天線長度L與廣播波長λ的關係為L=(λ/2),今有一電台,其廣播頻率為20MHz,則天線長度應為 7.5m


    通道
    1.( ) 電子 為N通道場效電晶體(FET)之電荷載子
    2.( ) 增強型MOSFET FET在不加閘極電壓時,沒有通道產生
    3.( ) FET的導電載子為 P通道電洞,N通道電子
    4.( ) P通道場效電晶體(FET)之電荷載子為 電洞
    5.( ) 一n型通道JFET的夾止電壓(pinch-off voltage)為Vp,其操作於歐姆區(ohmic region)的條件為 Vp<vGS<0且vGS?-Vp
    6.( ) 有一N通道JFET,其I_DSS=9mA,V_P=-3V,請問當直流偏壓V_GS=-1V時,其汲極電流I_D為 4mA
    7.( ) 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T=2V,當V_GS=5V時,MOSFET工作於飽和區(夾止區),且I_D=3mA。若V_GS=8V,則轉移電導g_m為 4mS
    8.( ) 有一個N通道JFET,若I_DSS=12mA,V_GS(OFF)=V_P=-4V,則V_GS=-2V時的I_D電流值為 3mA
    9.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V
    10.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V


    直流
    1.( ) 決定電晶體的工作點(operating point) 為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的
    2.( ) BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著V_CE值增加而產生 增加 變化
    3.( ) 一功率放大器之直流輸入功率為100W,交流輸出功率為86W,其類型為 C類
    4.( ) 一功率放大器之直流輸入功率為50W,交流輸出功率為43W,其類型為 C類
    5.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V_DC=3.7V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
    6.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    7.( ) 有一N通道JFET,其I_DSS=9mA,V_P=-3V,請問當直流偏壓V_GS=-1V時,其汲極電流I_D為 4mA
    8.( ) 有一個一階運算放大器,其直流增益為10^6,且有一極點於10rad/s,零點為無窮大,使用電阻將其組成非反向放大器,直流增益為10,求非反向放大器之極點為 10^6rad/s
    9.( ) 若有一BJT電晶體在工作區時,其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA,試求其直流增益β_DC為 99
    10.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零,峰值(VP)相同之波型,以下 方波 具有最大之均方根值(Vrms)


    正弦波
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 考畢子振盪器 為正弦波振盪器
    3.( ) RC相移振盪器所產生的波形為 正弦波
    4.( ) 一般工業用電源為正弦波交流電220V、60Hz,試問 v(t)=311sin(377t)V 為正確電壓方程式
    5.( ) 下列有關對稱函數的傅立葉級數展開之敘述 偶對稱函數不存在正弦波成分 奇對稱函數不存在餘弦波成分 半波對稱函數僅存在奇次諧波成分 有誤
    6.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V_DC=3.7V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
    7.( ) 有一正弦波交流電壓信號V(t)=8sin 314tV,則 V_m=8V V_rms=5.66V 週期T=20ms 錯誤
    8.( ) 有一正弦波電流信號i(t)=110sin(337t-150°)A,則當t=1/120秒時之瞬時電流值為 55A
    9.( ) 有關非正弦波振盪器之敘述 史密特觸發器可用來作為波形整形電路 為真
    10.( ) 若將1KHz之標準正弦波加給一示波器,在CRT上一個完整的週期佔四個方格。若加入待測正弦波信號,一個完整的週期佔五格,則此待測正弦波信號之頻率為 800Hz


    基極
    1.( ) 在BJT電晶體中,有關Early效應(Early effect)的敘述, 在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減 正確
    2.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    3.( ) 有關BJT與FET的比較,敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確
    4.( ) 使用指針式三用電錶,轉到低電阻檔(如x100),用紅棒接觸電晶體任一腳,再以黑棒接觸其他兩腳,此時電錶指針都會產生大偏移,則此紅棒接觸之腳為 基極端
    5.( ) 某NPN電晶體的β=100,集極電流為0.8A,基極電流為12mA,則電晶體處於 飽和模式 區域模式
    6.( ) 若有一BJT電晶體在工作區時,其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA,試求其直流增益β_DC為 99
    7.( ) 假設一電晶體β=50、I_C=5mA、V_T=25mV,則基極對地交流電阻r_π為 250Ω
    8.( ) 當一個BJT之基極接至集極,並接成順向偏壓,則 其形成一個順向偏壓的PN二極體仍可視為工作於作用區(active region)的BJTVCE值為0.7V 錯誤
    9.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 α值隨著|V_CB|的增加而變大 正確
    10.( ) 對歐利效應(Early effect)及其影響,敘述 少數載體的濃度梯度Pn會在基極內增加 正確


    型半導體
    1.( ) N型半導體的少數載子為電洞 本質半導體中所加入的五價元素稱為施體 在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體 錯誤
    2.( ) P型半導體中,傳導電流的載子主要是 電洞
    3.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
    4.( ) 一個P型半導體帶有的靜電荷為 電中性
    5.( ) 在P型半導體中,載子的狀況是 有多數電洞及少數電子
    6.( ) 在矽晶體結構中,摻雜 砷 雜質才能成為N型半導體
    7.( ) 在純矽中加入少量五價元素,會形成 N型半導體 元件
    8.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 外質半導體,且載子濃度為何
    9.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成何種外質半導體,且載子濃度為 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
    10.( ) 有關n型半導體材料之敘述, 內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers) 正確


    濾波器
    1.( ) 有一放大器電路其轉移函數為 ,此為 帶通濾波器 濾波器
    2.( ) 有一濾波器其電壓增益為A_V(ω)= ,試問此為 高通 濾波器
    3.( ) 有關濾波器的敘述, 高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 正確
    4.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 較佳


    特性
    1.( ) 透納二極體 二極體具有負電阻特性
    2.( ) BJT直流工作特性曲線因受爾利效應(Early effect)影響,導致Ic值在順向作用區(forward active region)時,會隨著V_CE值增加而產生 增加 變化
    3.( ) B類放大器的特性為 失真大,效率高
    4.( ) 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述 共射極組態之輸入與輸出信號位差180度共基極組態放大電路的高頻響應最佳共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用 有誤
    5.( ) 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述 輸出訊號與輸入訊號相位相同電壓增益略小於1輸入阻抗甚高 有誤
    6.( ) 有一RLC串聯電路,R=560Ω,L=100mH,C=0.1μF,其電流之自然響應特性為 欠阻尼
    7.( ) 有關二極體特性之敘述,下列 二極體內空乏區電場方向是由N型指向P型二極體擴散電流是由載子濃度不均所形成二極體漂移電流是由電位差所形成 錯誤
    8.( ) 有關共射極放大器的特性敘述, 電流增益為β,輸出與輸入電壓相位差180? 正確
    9.( ) 有關達寧頓電路特性的敘述,下列 高輸入阻抗低輸出阻抗高電流增益 錯誤
    10.( ) 有關達靈頓(Darlington)電路特性, 電流增益很大 電壓增益小於1 適合做為緩衝器(Buffer)、電流放大使用 錯誤


    求其
    1.( ) 一放大器的-3 dB頻率為20 Hz及15 kHz,設其工作於標準測試頻率(1 kHz)時的輸出為20 W,求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為 10 W
    2.( ) 已知弦波電壓為v=10cos(4712.39t-53.13?)V,試求其週期T及相角為 1.33ms,-53.13?
    3.( ) 有40W輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器,若放大器的電壓增益為40dB,且為額定輸出時,求其輸入電壓為 0.2V
    4.( ) 於共射極電晶體電路中,IE為5 mA,IB為0.1 mA,試求其電流增益為 49
    5.( ) 某差動放大器,差模訊號電壓增益A_d為200,而共模拒斥比CMRR=80dB,試求其共模訊號電壓增益A_c為 0.02
    6.( ) 某發射機的載波頻率為3000kHz,求其波長為 100公尺
    7.( ) 若一電壓相量 =156∠30°,頻率為60Hz,求其交流正弦電壓為 220sin(377t+30°)
    8.( ) 若有一BJT電晶體在工作區時,其基極電流為0.2mA、射極電流為20mA,試求其直流增益β_DC為 99
    9.( ) 當一電源V=380∠0? V加於負載Z=30+j40Ω上,試求其電流I為 7.6∠-53.1? A
    10.( ) 對一BJT電晶體操作在I_B=5mA時,在I_C=10mA下,其對應的V_CEsat=140mV,且I_C=20mA時,其對應的V_CEsat=180mV,求其飽和區的R_CEsat電阻值為 4Ω


    已知
    1.( ) 已知一放大電路電壓增益A_V為100,電流增益A_i為10,則其功率增益A_P (dB)為 30dB
    2.( ) 已知弦波電壓為v=10cos(4712.39t-53.13?)V,試求其週期T及相角為 1.33ms,-53.13?
    3.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數g_m=1.5m?,r_d=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R_S,而汲極電阻R_D=10kΩ,請問該電路之電壓增益A_V為 -7.5
    4.( ) 有一電容器C=0.5F,其電流i(t)=6t A。已知t=0s時,電容器上之電壓為2V,求t=1s時,儲存於電容器之能量為 16J


    濃度
    1.( ) 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值V_T,敘述 降低基體(Substrate)的濃度(N_A) 正確
    2.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3 外質半導體,且載子濃度為何
    3.( ) 有一矽質半導體,其本質濃度為1.5×10^10/cm^3、原子密度為5×10^22/cm^3,若每2×10^9原子加入一個受體雜質,請問將轉換成何種外質半導體,且載子濃度為 P型半導體,少數載子濃度為9.0×10^6/cm^3
    4.( ) 有關二極體特性之敘述,下列 二極體內空乏區電場方向是由N型指向P型二極體擴散電流是由載子濃度不均所形成二極體漂移電流是由電位差所形成 錯誤
    5.( ) 矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為1.5×10^10cm^-3,在同樣的溫度下,若受體(acceptor)濃度為1.5×10^15cm^-3,熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^-3


    共模
    1.( ) 有一差動放大器,其一端輸入V_i1=100μV,另一端輸入V_i2=50μV,且此放大器之差模增益A_d為100,而共模拒斥比CMRR為10,請問此輸出電壓為 5.75mV
    2.( ) 有一差動放大器,其共模具斥比(CMRR)為40dB、差模增益A_d=100,若輸入共模信號V_c=10V、差模信號V_d=0.1V,則此差動放大器輸出為 20V
    3.( ) 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V_ i1=55μV,V _ i2=45μV,共模拒斥比CMRR(dB)=40dB,差模增益A _d=500,則 輸出電壓V_o=5.25mV 正確
    4.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    5.( ) 有一差動放大器,當差動輸入電壓變動0.1V,差動輸出電壓變動2V,若共模電壓增益為2×10^-^4,共模拒斥比(CMRR)為 100dB
    6.( ) 某差動放大器,差模訊號電壓增益A_d為200,而共模拒斥比CMRR=80dB,試求其共模訊號電壓增益A_c為 0.02
    7.( ) 差動放大器若其差模增益Ad=1000共模增益Ac=1,則其共模拒斥比(CMRR)值為 60dB


    下圖


    電子
    1.( ) 電子 為N通道場效電晶體(FET)之電荷載子
    2.( ) FET的導電載子為 P通道電洞,N通道電子
    3.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
    4.( ) NPN電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有0.125%在基極與電洞結合,其餘99.875%被集極收集,則此電晶體之β值為 799
    5.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
    6.( ) 在P型半導體中,載子的狀況是 有多數電洞及少數電子
    7.( ) 在常溫下,欲將矽晶體共價鍵中的電子釋放出來,所需能量為 1.12eV
    8.( ) 矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為1.5×10^10cm^-3,在同樣的溫度下,若受體(acceptor)濃度為1.5×10^15cm^-3,熱平衡下的電子濃度約為 1.5×10^5cm^-3
    9.( ) 發光二極體的發光強度與 電子、電洞復合率 成正比關係
    10.( ) 當n型半導體受熱後,所產生之新載子以 電洞與電子一樣多 較多


    振盪
    1.( ) 雙穩態(Bistable) 振盪應用於比較器時,能產生磁滯(Hysteresis)迴路
    2.( ) 一個放大器其增益為40∠-35°,若要使此電路振盪,其回授增益為 0.025∠35°
    3.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
    4.( ) 某一超外差式調幅接收機,欲接收2000KHz的電台訊號,則本地振盪器的振盪頻率為 2455KHz
    5.( ) 振盪器, 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
    6.( ) 振盪器 石英晶體振盪器 振盪頻率最穩定
    7.( ) 設計一個哈特萊振盪器(Hartley Oscillator),振盪頻率為100kHz,電感L_1=L_2=0.1mH,則電容C為 12.67nF


    如右


    頻寬
    1.( ) 三級串級放大器,若每一級截止頻率都相同,即f_L=300Hz,f_H=50kHz,則該三級串級放大器之頻寬B應為 24.9kHz
    2.( ) 在共源(CS)、共閘(CG)、共汲(CD)及疊接(Cascode)放大器中,通常以 Cascode 的增益頻寬積(Gain-Bandwidth Product)最大
    3.( ) 有關放大器加上負回授之後的效果, 頻寬增加非線性失真減少增益減少 錯誤
    4.( ) 有關理想放大器的敘述,下列 輸入阻抗無窮大頻寬無窮大輸出阻抗為零 錯誤
    5.( ) 某一放大器之電壓增益為100,頻寬為20kHz,若利用負回授將頻寬增加為50kHz,則此放大器之電壓增益變為 40
    6.( ) 相對於單級放大器,有關串級放大器的增益與頻寬之描述, 增益變大,頻寬變窄 正確
    7.( ) 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A_o=100dB,當頻率f=10^4Hz時,其開路增益的大小為40dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為 10^6Hz


    電洞
    1.( ) N型半導體的少數載子為電洞 本質半導體中所加入的五價元素稱為施體 在本質半導體中加入微量的五價元素則形成N型半導體 錯誤
    2.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
    3.( ) P型半導體中,傳導電流的載子主要是 電洞
    4.( ) 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數 一樣多 較多
    5.( ) 在P型半導體中,載子的狀況是 有多數電洞及少數電子
    6.( ) 在絕對零度(0°K)時,於本質半導體之兩端加一電壓,若本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內狀態為 沒有電子流也沒有電洞流
    7.( ) 發光二極體的發光強度與 電子、電洞復合率 成正比關係
    8.( ) 當n型半導體受熱後,所產生之新載子以 電洞與電子一樣多 較多


    方波
    1.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    2.( ) 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時,通常輸入 方波 較適用
    3.( ) 有關微分器、積分器之敘述, 方波通過積分器後之輸出波形為三角波 正確
    4.( ) 有關積分器及微分器的敘述,選項 方波通過積分器的輸出波形為三角波 正確


    閘極
    1.( ) 切斷閘極電流 方法不能使已經導通的SCR截止
    2.( ) BJT或FET單一組態放大器各有其特點,若欲得到高輸入阻抗、高增益、高頻響應佳之疊加放大器(Cascade Amplifier),須使用 共源極-共閘極 疊加放大器組合
    3.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V
    4.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V
    5.( ) 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)電路的敘述, 在高頻應用中常採用共閘極(common gate)電路 正確
    6.( ) 有關場效電晶體,敘述 P通道空乏型MOSFET,閘極加上正電壓時,通道寬度變小 正確


    週期
    1.( ) 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為 40%
    2.( ) 已知弦波電壓為v=10cos(4712.39t-53.13?)V,試求其週期T及相角為 1.33ms,-53.13?
    3.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2.5μs,工作週期為4%,則此脈波之頻率為 16KHz
    4.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2μs,工作週期為40%,則此脈波頻率為 200kHz
    5.( ) 有一脈波寬度為100μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為 5kHz
    6.( ) 若將1KHz之標準正弦波加給一示波器,在CRT上一個完整的週期佔四個方格。若加入待測正弦波信號,一個完整的週期佔五格,則此待測正弦波信號之頻率為 800Hz


    等效
    1.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為: 1μF
    2.( ) 三個相同電容值(均為3μF)的電容器串聯在一起,則其等效電容值為 1μF
    3.( ) 有3+j4Ω、16-j12Ω、-j4Ω等3阻抗並聯連接,試求等效導納為 200∠36.87? mS
    4.( ) 有一單埠電路,其諾頓等效電流源為4安培,戴維寧等效電壓源為16伏特,請問其諾頓與戴維寧等效電阻各為 同為4Ω
    5.( ) 承第1題,若框選區域內改為諾頓等效電路,則諾頓等效電流源為 1.6mA


    具有
    1.( ) 透納二極體 二極體具有負電阻特性
    2.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
    3.( ) 下列有關振盪電路之敘述 RC相移振盪器是屬於電路低頻振盪器石英晶體振盪是利用晶體本身具有壓電效應而產生振盪振盪器是一種將直流電變為交流電的裝置 有誤
    4.( ) 正反器 T正反器 具有除2的功能
    5.( ) 在雙載子接面電晶體(BJT)放大器中,具有最大電壓增益與電流增益乘積的是 共射極放大器 組態
    6.( ) 非反向運算放大器電路具有增益40dB,其3dB頻率為25kHz,將其應用在某特殊系統中,若此系統需要50kHz的頻寬,在此情況下能夠達到的最大增益為 50V/V
    7.( ) 假設所有波型的直流偏壓均為零,峰值(VP)相同之波型,以下 方波 具有最大之均方根值(Vrms)
    8.( ) 達靈頓(Darlington)電路具有 高輸入電阻及大電流增益 優點
    9.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路,如其輸出具有60Hz的漣波時,則其電路可能為: 有一個二極體開路
    10.( ) 對一60Hz全波橋式整流電路,如其輸出具有60Hz的漣波時,則其電路可能為 有一二極體開路


    為多


    電容器
    1.( ) 有一電容器C=0.5F,其電流i(t)=6t A。已知t=0s時,電容器上之電壓為2V,求t=1s時,儲存於電容器之能量為 16J
    2.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路,負載阻抗Z=100+j100Ω,若要將功率因數修正為0.95,需要並聯 8.9μF 電容器
    3.( ) 有兩電容器C1及C2分別為6μF及9μF,串接於300V電源上,則兩電容器之電壓分別為 V1=180V,V2=120V
    4.( ) 於L-C串聯電路中,若L=2.653H,且與C串聯接於60Hz之電源,今欲改變電容量使達到共振,請問電容器C之值應調整為 2.653μF
    5.( ) 關於電容器,敘述 電容器填充介質材料的不同,直接影響電容器的特性 正確


    串聯
    1.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器,是屬於 電壓串聯 負回授
    2.( ) 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz,假設電阻R=10kΩ,求電感L及24kHz時的︱H(jω)︱為 0.40H,0.164
    3.( ) 有一電壓v(t)=Vmsinωt,當其串聯一純電阻後,則其瞬時功率會包含 2ω 頻率
    4.( ) 有關濾波器的敘述, 高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 正確
    5.( ) 串聯2只200pF之電容器後,再和16μH電感器並聯形成槽路(Tank),其諧振頻率為 4MHz
    6.( ) 串聯饋送式A類放大器在理論上最高效率ηmax為 25%
    7.( ) 承第47題,戴維寧等效電路之串聯阻抗為 10kΩ
    8.( ) 於L-C串聯電路中,若L=2.653H,且與C串聯接於60Hz之電源,今欲改變電容量使達到共振,請問電容器C之值應調整為 2.653μF


    分別為
    1.( ) 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500Ω、2.5H、4nF,其電壓響應應屬於 過阻尼 性質
    2.( ) 有一RLC並聯電路,電感值與電容值分別為4H與0.25μF,試求臨界阻尼時之電阻值為 2000Ω
    3.( ) 有一元件之電壓及電流分別為v(t)=3cos(3t+20?)V,i(t)=-2sin(3t+30?)A,則電壓和電流之相位關係為 電流領先電壓100?
    4.( ) 有一共射極之電晶體,其偏壓於工作區測得I_C=1.47mA,I_E=1.50mA,則該電晶體的α、β參數分別為 α=0.98、β=49
    5.( ) 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V_ i1=55μV,V _ i2=45μV,共模拒斥比CMRR(dB)=40dB,差模增益A _d=500,則 輸出電壓V_o=5.25mV 正確
    6.( ) 有兩放大器之頻率響應分別為10∼10KHz與100∼20KHz,若將兩放大器串接後使用,則串接後放大器的頻率響應範圍為 100∼10KHz
    7.( ) 有兩個電流方程式分別為i1(t)=10sin(120πt)A,i2(t)=5sin(120πt+30°)A,則此兩波形時間差為 1.39ms
    8.( ) 有兩電容器C1及C2分別為6μF及9μF,串接於300V電源上,則兩電容器之電壓分別為 V1=180V,V2=120V
    9.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    10.( ) 兩磁耦合線圈自感分別為208mH與6mH,兩線圈間之互感為32.6mH,試求耦合係數為 0.923


    參數
    1.( ) 在電晶體h參數中,代表輸入開路時之輸出導納為 h_22
    2.( ) 有一共射極之電晶體,其偏壓於工作區測得I_C=1.47mA,I_E=1.50mA,則該電晶體的α、β參數分別為 α=0.98、β=49
    3.( ) 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數g_m=1.5m?,r_d=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R_S,而汲極電阻R_D=10kΩ,請問該電路之電壓增益A_V為 -7.5
    4.( ) 某P通道增強型MOSFET,導電參數K=0.5mA/V^2,臨界電壓V_T=-2V,試求V_GS=-5V時,I_D值為 4.5mA
    5.( ) 某一N通道增強型MOSFET的V_DS=4V,元件參數K=0.5mA/V^2,臨界電壓V_T=2V,若元件工作於夾止區且ID=2mA,則V_GS為 +4V
    6.( ) 某一N通道增強型MOSFET的VDS=4V,元件參數K=0.5mA/V^2,臨界電壓V_T=2V,若元件工作於夾止區且I_D=2mA,則V_GS為 +4V
    7.( ) 假設電晶體的α參數由0.99變化到0.98,則β參數之變化為 由99變化到49
    8.( ) 增強型NMOS的V_DS=4V,元件參數K_n=0.5mA/V^2,臨限電壓V_t=2V,I_D=2mA,若忽略通道長度調變效應,V_GS值為 4V


    應用
    1.( ) 共基極電路 雙極性接面電晶體電路組態,適合於高頻放大器應用
    2.( ) NMOS較PMOS之應用更為廣泛,其原因為 電子比電洞具有較大的移動率
    3.( ) 由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中, 比較器 電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路
    4.( ) 在音響擴大機應用電路中,常用來驅動負載喇叭的電晶體組態電路為 共集極
    5.( ) 有一放大器應用電路,設放大器U1為理想放大器,且飽和電壓(Saturation voltage)為+10V與-10V,亦即輸出電壓侷限在-10V到+10V之間。設電阻R1、R2均相等,今輸入電壓VI為振幅VP=1V之正弦波,試研判輸出電壓VO之反應 VO將落入一定值不再變動
    6.( ) 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)電路的敘述, 在高頻應用中常採用共閘極(common gate)電路 正確
    7.( ) 零位檢測器為 比較器 電路的一種應用


    差動
    1.( ) 有一差動放大器,其Vi1=150μV、Vi2=100μV、Ad=1000、CMRR=100,輸出電壓為 51.25mV
    2.( ) 有一差動放大器,其Vi1=150μV、Vi2=100μV、Ad=1000、CMRR=100,輸出電壓為 51.25mV
    3.( ) 有一差動放大器,其一端輸入V_i1=100μV,另一端輸入V_i2=50μV,且此放大器之差模增益A_d為100,而共模拒斥比CMRR為10,請問此輸出電壓為 5.75mV
    4.( ) 有一差動放大器,其共模具斥比(CMRR)為40dB、差模增益A_d=100,若輸入共模信號V_c=10V、差模信號V_d=0.1V,則此差動放大器輸出為 20V
    5.( ) 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V_ i1=55μV,V _ i2=45μV,共模拒斥比CMRR(dB)=40dB,差模增益A _d=500,則 輸出電壓V_o=5.25mV 正確
    6.( ) 有一差動放大器,若輸入V_1=150μV,V_2=70μV,且此放大器之共模增益A_cm=10,共模拒斥比CMRR=20dB,則其輸出電壓為 9.1mV
    7.( ) 有一差動放大器,當差動輸入電壓變動0.1V,差動輸出電壓變動2V,若共模電壓增益為2×10^-^4,共模拒斥比(CMRR)為 100dB
    8.( ) 有關理想運算放大器(operational amplifier,OPA)的說明,下列 輸入阻抗為無窮大輸入電流為零差動增益(differential gain)為無窮大 錯誤
    9.( ) 某差動放大器,差模訊號電壓增益A_d為200,而共模拒斥比CMRR=80dB,試求其共模訊號電壓增益A_c為 0.02
    10.( ) 差動放大器若其差模增益Ad=1000共模增益Ac=1,則其共模拒斥比(CMRR)值為 60dB


    多少


    穩壓
    1.( ) 交換式電源穩壓電路,一般是以 脈寬調變 技術來控制功率半導體的導通時間
    2.( ) 有關二極體的敘述, 可利用其順向電壓進行穩壓 正確
    3.( ) 直流電源供應器係用來將交流電源轉換為直流電源,在經變壓器後,其轉換通常依序為 整流→濾波→穩壓
    4.( ) 傳統式穩壓電路與交換式穩壓電路,此兩電路中的電晶體分別作 前者為放大,後者為開關 用途
    5.( ) 稽納二極體(Zener Diode)常應用於 穩壓電路 電路


    通過
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 有一電阻R=2Ω,將其通過i(t)=4sin(ωt+30?)A之電流時,電阻消耗之功率為 16W
    3.( ) 有一電熱器電阻為10Ω,通過5A電流,每秒產生之熱量為 60
    4.( ) 有關微分器、積分器之敘述, 方波通過積分器後之輸出波形為三角波 正確
    5.( ) 有關積分器及微分器的敘述,選項 方波通過積分器的輸出波形為三角波 正確
    6.( ) 假設V(t)=V sin (ωt)的均方根值為v_1,當V(t)通過一個理想全波整流器後,其輸出電壓之均方根值為v_2,則v_1/v_2為 1
    7.( ) 關於CMOS反相器的敘述 輸入為VDD/2時,通過PMOS及NMOS電流最大 正確


    訊號
    1.( ) 正弦波 輸入信號通過微分器後,其輸出訊號波形與輸入波形是相同
    2.( ) 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為 40%
    3.( ) 一般頻率計數器是利用 施密特觸發電路 電路,將待測訊號輸入轉換為脈波來計數
    4.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    5.( ) 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述 輸出訊號與輸入訊號相位相同電壓增益略小於1輸入阻抗甚高 有誤
    6.( ) 在雙極性接面電晶體BJT共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容C_C進入基極,該電容C_C之主要功能為 隔離直流
    7.( ) 某差動放大器,差模訊號電壓增益A_d為200,而共模拒斥比CMRR=80dB,試求其共模訊號電壓增益A_c為 0.02
    8.( ) 電晶體放大器中,小訊號之操作,其主要目標為 線性放大
    9.( ) 對於差動放大器(Differential amplifier), 可用來放大兩個輸入訊號之差輸入阻抗高組成運算放大器(Operational amplifier)重要元件 錯誤
    10.( ) 雙極性接面電晶體共射小訊號模式使用時,若電晶體之工作點IC=26mA,溫度為常溫,則互導gm為 1A/V


    一般
    1.( ) 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器,電晶體必須施加適當偏壓,使工作點(operating point)落在 作用區(active region)內 區域內,可獲得較佳之放大倍率
    2.( ) 一般工業用電源為正弦波交流電220V、60Hz,試問 v(t)=311sin(377t)V 為正確電壓方程式
    3.( ) 一般直流放大器(DC Amplifier)其交連方式為 採直接耦合
    4.( ) 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓,在正常順向電壓工作情況下約為 0.7V
    5.( ) 一般頻率計數器是利用 施密特觸發電路 電路,將待測訊號輸入轉換為脈波來計數
    6.( ) 一般頻率計數器將待測信號輸入後,可由 樞密特觸發電路 電路轉換為脈波後,來控制計數器的計數
    7.( ) 下列有關各類二極體的敘述 稽納二極體可作為產生參考電壓的元件一般發光二極體在使用時,是在順向偏壓下工作稽納二極體一般使用時,是在逆向偏壓下工作 有誤
    8.( ) 比較一般功率放大器之最高功率轉換效率(power conversion efficiency),其大小次序為 B類≧AB類≧A類
    9.( ) 交換式電源穩壓電路,一般是以 脈寬調變 技術來控制功率半導體的導通時間
    10.( ) 有關BJT與FET的比較,敘述 一般BJT的基極輸入阻抗比MOSFET閘極的輸入阻抗小 正確


    飽和電流
    1.( ) 一矽質二極體於溫度25℃時之逆向飽和電流為5nA,當溫度上升至55℃時,其逆向飽和電流將變為 40nA
    2.( ) 一理想矽質PN介面的二極體,在T=300K時(V_T=26mV),其逆向偏壓的飽和電流為I_S=2×10^-^14A且n=1,請問在順向偏壓+0.65V時的電流值為 1.44mA
    3.( ) 二極體接逆向偏壓時,其逆向飽和電流I_s之敘述, 與溫度成正比 正確
    4.( ) 矽二極體在溫度25°C時之逆向飽和電流為10nA,若溫度上升至55°C時,逆向飽和電流變為 80nA
    5.( ) 某矽二極體之PN接面於25°C時,其逆向飽和電流為5nA,當此PN接面溫度上升至65°C時,其逆向飽和電流為 80nA
    6.( ) 某矽質二極體,在溫度25℃時的逆向飽和電流為5nA,若溫度上升至55℃時,則逆向飽和電流變為 40nA
    7.( ) 某矽質二極體在溫度20℃時逆向飽和電流為5nA,當溫度為30℃時,此二極體逆向飽和電流為 10nA


    串接
    1.( ) 一放大器之低頻截止點為100Hz,若將此相同之放大器兩組串接後使用,則串接後放大器的低頻截止點約為 156Hz
    2.( ) 以奇數個反相器串接,再將最後一個反相器的輸出端接至第一個反相器的輸入端,可形成環型振盪器,該振盪器可產生 方波信號 穩定的波形信號
    3.( ) 四級串接放大器中,各級的電壓增益為10,則總電壓增益為 80 dB
    4.( ) 有兩放大器之頻率響應分別為10∼10KHz與100∼20KHz,若將兩放大器串接後使用,則串接後放大器的頻率響應範圍為 100∼10KHz
    5.( ) 有兩電容器C1及C2分別為6μF及9μF,串接於300V電源上,則兩電容器之電壓分別為 V1=180V,V2=120V
    6.( ) 有關多級串接放大器電路之敘述,下列 系統之總增益增加系統穩定度變差系統之總相位移增加 錯誤
    7.( ) 兩級串接放大電路,其電流增益分別為A_i1=100,A_i2=150,若負載阻抗為1kΩ,第一級輸入阻抗為150kΩ,求電路總電壓增益的db值為 40db
    8.( ) 對於多級串接放大電路的敘述, 級數越多,電壓增益愈高 正確


    電感
    1.( ) 一RLC並聯電路的電阻值、電感值以及電容值分別為2500Ω、2.5H、4nF,其電壓響應應屬於 過阻尼 性質
    2.( ) 在積體電路設計中,盡量避免使用 電感 元件
    3.( ) 有一RLC並聯電路,電感值與電容值分別為4H與0.25μF,試求臨界阻尼時之電阻值為 2000Ω
    4.( ) 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz,假設電阻R=10kΩ,求電感L及24kHz時的︱H(jω)︱為 0.40H,0.164
    5.( ) 某耦合電路中有兩個相互靠近之電感,其中一側之自感量L_1=28mH,另一次側之自感量L_2=7mH,兩電感間之互感量M=7mH。則電路之耦合係數k為 0.5
    6.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 較佳
    7.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 濾波器較佳
    8.( ) 設計一個哈特萊振盪器(Hartley Oscillator),振盪頻率為100kHz,電感L_1=L_2=0.1mH,則電容C為 12.67nF


    共基極
    1.( ) 共基極放大電路 電路不具備電流放大的功能
    2.( ) 共基極電路 雙極性接面電晶體電路組態,適合於高頻放大器應用
    3.( ) 有關共基極(CB)放大器之敘述, 電流增益小於1 正確
    4.( ) 有關電晶體組態的敘述,下列 共基極(CB)組態的電流增益小於1共集極(CC)組態的電壓增益小於1共集極(CC)組態的輸出阻抗最低 錯誤
    5.( ) 電晶體共基極組態的洩漏電流I_CBO與共射極組態的洩漏電流I_CEO的關係為 I_CEO=(1+β)I_CBO
    6.( ) 電晶體的三種組態放大電路,其輸出阻抗 共基極 最大


    反相
    1.( ) 一理想運算放大器接上+15V及-15V電源,若將反相輸入端(一輸入端)接至+6V,非反相輸入端(+輸入端)接地,則輸出電壓為 -15V
    2.( ) 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述 共射極之功率增益最高共射極為反相放大共集極之輸入阻抗最高 有誤
    3.( ) 用運算放大器組成的非反相放大器,是屬於 電壓串聯 負回授
    4.( ) 由理想運算放大器所組成之非反相(non-inverting)組態放大器, 輸出阻抗為0Ω輸入阻抗為無限大電壓增益由電阻比值決定 錯誤


    整流
    1.( ) 蕭特基二極體 二極體較適合高頻整流用
    2.( ) 一正弦波交流電壓之峰值為220V,則經全波整流後之平均值Va為 140.06V
    3.( ) 小林想設計一個穩定電壓的全波整流輸出電路,其輸出的直流平均電壓V_DC=3.7V,則其輸入的交流正弦波的峰對峰值電壓約為 12V
    4.( ) 直流電源供應器係用來將交流電源轉換為直流電源,在經變壓器後,其轉換通常依序為 整流→濾波→穩壓
    5.( ) 家用的交流電源110V、60Hz,經半波整流,但未濾波,則此整流後電壓平均值約為 50V
    6.( ) 就整流電路而言,半波整流、全波整流及橋式整流電路之比較,以下敘述 此三者其輸出電壓的平均值(直流值)依序分別為V_m/π,2V_m/π,2V_m/π 此三者其二極體使用數依序分別為1,2,4個 此三者其輸出時二極導通數依序分別為1,1,2個 錯誤


    操作
    1.( ) BJT操作在 作用區 情形下,I_C?I_E
    2.( ) 一n型通道JFET的夾止電壓(pinch-off voltage)為Vp,其操作於歐姆區(ohmic region)的條件為 Vp<vGS<0且vGS?-Vp
    3.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V
    4.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V
    5.( ) 使一個npn型電晶體操作在v_BE=670mV,I_C=2mA,其i_C對v_CE的特性有一斜率為2×10^-^5?,當電晶體操作在I_C=10mA時,其輸出阻抗值為 10kΩ
    6.( ) 若一npn的BJT在主動區操作,其α=0.98,則其β應為 49
    7.( ) 當NPN電晶體操作於飽和區時,敘述 V_BE>0,V_BC>0,V_CE>0 正確
    8.( ) 當運算放大器作比較器時的敘述 操作在飽和區 正確
    9.( ) 電晶體放大器中,小訊號之操作,其主要目標為 線性放大
    10.( ) 對一BJT電晶體操作在I_B=5mA時,在I_C=10mA下,其對應的V_CEsat=140mV,且I_C=20mA時,其對應的V_CEsat=180mV,求其飽和區的R_CEsat電阻值為 4Ω


    漣波
    1.( ) 有一電源電路之輸出電壓V(t)=10+0.2sin(ωt)伏特,則其漣波因數百分比約為 1.41%
    2.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為: 11.3%
    3.( ) 使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓,獲得25V直流電壓及峰值4V之交流電壓,則其漣波百分比為 11.3%
    4.( ) 若一電源頻率為50Hz,經半波整流後,輸出電壓漣波頻率為 50Hz
    5.( ) 若一電源頻率為60Hz,經半波整流後,輸出電壓之漣波頻率為 60Hz


    脈波
    1.( ) 一周期性脈波訊號其正峰值為+10V,負峰值為-2V。若此信號的平均值為+2.8V,則工作週期(duty cycle)為 40%
    2.( ) 一般頻率計數器是利用 施密特觸發電路 電路,將待測訊號輸入轉換為脈波來計數
    3.( ) 一般頻率計數器將待測信號輸入後,可由 樞密特觸發電路 電路轉換為脈波後,來控制計數器的計數
    4.( ) 在正常的運用情況下,史密特觸發器(Schmitt trigger)的輸出波形為 脈波
    5.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2.5μs,工作週期為4%,則此脈波之頻率為 16KHz
    6.( ) 有一脈波若其脈波寬度為2μs,工作週期為40%,則此脈波頻率為 200kHz
    7.( ) 有一脈波寬度為100μs,工作週期為50%,則此脈波之頻率為 5kHz


    並聯
    1.( ) 電流並聯負回授 負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗
    2.( ) CMOS傳輸(Transmission)閘構造為 一個NMOS和一個PMOS並聯
    3.( ) 一共射極A類放大器,射極上有電阻,現用一大電容與此射極電阻並聯後接地,問此一大電容之目的為 提高增益
    4.( ) 有一電源頻率為60Hz之電路,負載阻抗Z=100+j100Ω,若要將功率因數修正為0.95,需要並聯 8.9μF 電容器
    5.( ) 電晶體做為開關電路,負載為電感性時的保護措施為 將二極體與負載並聯


    之最
    1.( ) 一具空乏型負載的NMOS放大器和一CMOS數位邏輯反相器相互比較之下,它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為 CMOS之輸出電壓可為零,但空乏型負載之NMOS不為零
    2.( ) 一運算放大器之最大輸出迴轉率(slew rate)為5V/μs,倘輸入訊號於15μs內變動3V,則其最大閉迴路增益為 25
    3.( ) 比較一般功率放大器之最高功率轉換效率(power conversion efficiency),其大小次序為 B類≧AB類≧A類
    4.( ) 有一個P通道空乏型MOSFET,其臨限電壓Vt=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為 3V
    5.( ) 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓V_T=-2V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接至+5V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為 2V
    6.( ) 承第12題,R_L吸收之最大功率為 36W


    之功
    1.( ) 共射極組態 BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高
    2.( ) RLC串聯共振時,下列 電路之功率因數等於1R值改變時,共振頻率不會改變電路中電流值為最大 錯誤
    3.( ) 下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述 共射極之功率增益最高共射極為反相放大共集極之輸入阻抗最高 有誤
    4.( ) 有一台抽水機,其速率600公升/秒,將水由地下10公尺抽至高20公尺之水塔上,則抽水機之功率為 177仟瓦
    5.( ) 有一電阻R=2Ω,將其通過i(t)=4sin(ωt+30?)A之電流時,電阻消耗之功率為 16W
    6.( ) 有一電壓源v(t)=2sint+4sin3t V,加在2Ω之電阻兩端,則電阻消耗之功率為 5W
    7.( ) 承第41題,此負載之功率因數(PF)為 0.73


    濾波
    1.( ) 100V有效值之交流正弦波電壓,經半波整流與濾波後,其輸出電壓值為 141V
    2.( ) 在一二極體橋式全波整流電路中,若輸入電壓為弦波,則敘述 輸出電壓若經適當濾波,最高可達輸入電壓的峰值VP 正確
    3.( ) 直流電源供應器係用來將交流電源轉換為直流電源,在經變壓器後,其轉換通常依序為 整流→濾波→穩壓
    4.( ) 家用的交流電源110V、60Hz,經半波整流,但未濾波,則此整流後電壓平均值約為 50V
    5.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 較佳
    6.( ) 針對大電流負荷之濾波應採用 電感濾波器 濾波器較佳